| 中文摘要 | 第3-4页 |
| 英文摘要 | 第4-5页 |
| 1 绪论 | 第8-15页 |
| 1.1 高压SOI技术概述 | 第8-9页 |
| 1.2 SOI高压器件研究现状 | 第9-10页 |
| 1.2.1 横向耐压技术 | 第9-10页 |
| 1.2.2 纵向耐压技术 | 第10页 |
| 1.3 高压SOI介质场增强技术 | 第10-13页 |
| 1.3.1 电荷型介质场增强技术 | 第10-11页 |
| 1.3.2 薄硅层介质场增强技术 | 第11-12页 |
| 1.3.3 变K介质场增强技术 | 第12-13页 |
| 1.4 本文的研究内容及创新点 | 第13-15页 |
| 2 界面N+硅岛SOI及部分SOI衬底高压器件 | 第15-34页 |
| 2.1 界面N+硅岛系列SOI高压器件 | 第15-19页 |
| 2.2 INI PSOI LDMOS结构及耐压机理 | 第19-24页 |
| 2.2.1 器件结构 | 第19页 |
| 2.2.2 耐压机理 | 第19-21页 |
| 2.2.3 击穿特性研究 | 第21-23页 |
| 2.2.4 工艺实现 | 第23-24页 |
| 2.3 界面电荷岛PSOI N沟道LDMOS | 第24-33页 |
| 2.3.1 器件结构 | 第24-25页 |
| 2.3.2 耐压机理 | 第25-29页 |
| 2.3.3 击穿特性 | 第29-32页 |
| 2.3.4 工艺实现 | 第32-33页 |
| 2.4 本章小结 | 第33-34页 |
| 3 PBN LDMOS高压器件 | 第34-45页 |
| 3.1 PBN SOI高压器件 | 第34-39页 |
| 3.2 PSOI LDMOS结构及机理 | 第39-44页 |
| 3.2.1 器件结构 | 第39页 |
| 3.2.2 耐压机理 | 第39-43页 |
| 3.2.3 击穿特性研究 | 第43-44页 |
| 3.2.4 工艺实现 | 第44页 |
| 3.3 本章小结 | 第44-45页 |
| 4 TLTS SOI LDMOS器件 | 第45-52页 |
| 4.1 器件结构 | 第45-46页 |
| 4.2 耐压机理 | 第46-48页 |
| 4.3 击穿特性研究 | 第48-50页 |
| 4.4 工艺实现 | 第50-51页 |
| 4.5 本章小结 | 第51-52页 |
| 5 结论 | 第52-53页 |
| 致谢 | 第53-54页 |
| 参考文献 | 第54-58页 |
| 附录：作者在攻读学位期间发表的论文 | 第58页 |