| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-16页 |
| 1.1 半导体材料概述 | 第8-10页 |
| 1.2 GaN材料的基本性质 | 第10-12页 |
| 1.2.1 物理性质 | 第10-11页 |
| 1.2.2 化学性质 | 第11页 |
| 1.2.3 电学性质 | 第11-12页 |
| 1.3 GaN材料的应用及研究意义 | 第12-13页 |
| 1.4 掺杂的GaN材料的研究现状 | 第13-14页 |
| 1.5 本论文的主要工作及研究内容 | 第14-16页 |
| 第二章 实验方法及研究手段 | 第16-26页 |
| 2.1 GaN纳米材料几种常见的制备方法 | 第16-18页 |
| 2.1.1 分子束外延(MBE)法 | 第16页 |
| 2.1.2 金属有机物气相外延(MOCVD)法 | 第16页 |
| 2.1.3 氢化物气相外延(HVPE)法 | 第16-17页 |
| 2.1.4 化学气相沉积法(CVD) | 第17-18页 |
| 2.1.5 磁控溅射(MS)法 | 第18页 |
| 2.2 透射电子显微学技术 | 第18-21页 |
| 2.2.1 衍射衬度像 | 第18-19页 |
| 2.2.2 高分辨电子显微术 | 第19-20页 |
| 2.2.3 电子能量损失谱 | 第20-21页 |
| 2.2.4 选区电子衍射 | 第21页 |
| 2.3 基本理论与计算方法 | 第21-23页 |
| 2.3.1 第一性原理计算方法 | 第21页 |
| 2.3.2 密度泛函数理论(DFT) | 第21-23页 |
| 2.4 实验设备、TEM样品制备及计算软件平台 | 第23-26页 |
| 第三章 价电子能量损失谱对GaN纳米材料能级结构的研究 | 第26-34页 |
| 3.1 引言 | 第26页 |
| 3.2 实验过程 | 第26-27页 |
| 3.3 结果和讨论 | 第27-33页 |
| 3.3.1 微结构与形貌 | 第27-29页 |
| 3.3.2 电子结构模拟计算 | 第29-31页 |
| 3.3.3 示意性的能级描述 | 第31-33页 |
| 3.4 本章小结 | 第33-34页 |
| 第四章 GaN：Zn纳米材料的微观结构及电子结构研究 | 第34-42页 |
| 4.1 引言 | 第34-35页 |
| 4.2 实验过程 | 第35页 |
| 4.3 结果和讨论 | 第35-39页 |
| 4.3.1 微结构与形貌 | 第35-37页 |
| 4.3.2 费米面附近的电子态密度分析 | 第37-39页 |
| 4.3.3 价电子能量损失谱分析 | 第39页 |
| 4.4 本章小结 | 第39-42页 |
| 第五章 GaN：Ce纳米材料的透射电子显微学研究 | 第42-54页 |
| 5.1 引言 | 第42页 |
| 5.2 实验过程 | 第42-43页 |
| 5.3 结果和讨论 | 第43-52页 |
| 5.3.1 zigzag共边生长结构 | 第43-49页 |
| 5.3.2 电子能量损失谱精细结构分析 | 第49-52页 |
| 5.4 本章小结 | 第52-54页 |
| 结论 | 第54-56页 |
| 参考文献 | 第56-60页 |
| 致谢 | 第60页 |