| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-9页 |
| 第一章 绪论 | 第12-34页 |
| 1.1 引言 | 第12-13页 |
| 1.2 PI简介 | 第13-22页 |
| 1.2.1 PI的合成方法 | 第14-16页 |
| 1.2.2 PI的物理化学性能 | 第16-18页 |
| 1.2.3 PI的应用 | 第18-19页 |
| 1.2.4 PI薄膜制备 | 第19-21页 |
| 1.2.5 高介电常数PI复合薄膜简介 | 第21-22页 |
| 1.3 气相沉积聚合PI在电子器件中的应用价值分析 | 第22-32页 |
| 1.3.1 气相沉积PI在薄膜体声波谐振器中的应用分析 | 第22-26页 |
| 1.3.2 气相沉积PI在压电微机械超声换能器中的应用分析 | 第26-28页 |
| 1.3.3 气相沉积PI在GaN高电子迁移率晶体管中的应用分析 | 第28-32页 |
| 1.4 本论文的选题意义和主要研究内容 | 第32-34页 |
| 第二章 实验方法 | 第34-42页 |
| 2.1 PI薄膜制备用多源共蒸发装置搭建 | 第34-36页 |
| 2.2 薄膜材料及器件性能测试方法 | 第36-38页 |
| 2.3 薄膜材料结构表征方法 | 第38-42页 |
| 第三章 PI薄膜的气相沉积聚合制备研究 | 第42-53页 |
| 3.1 单体材料的选择 | 第42-43页 |
| 3.2 PI薄膜气相沉积聚合制备工艺研究 | 第43-47页 |
| 3.3 气相沉积聚合制备PI薄膜结构表征 | 第47-51页 |
| 3.3.1 气相沉积聚合制备PI薄膜的FTIR分析 | 第47-50页 |
| 3.3.2 气相沉积聚合制备PI薄膜的形貌分析 | 第50-51页 |
| 3.4 本章小结 | 第51-53页 |
| 第四章 高介电常数PI薄膜气相沉积聚合制备及性质研究 | 第53-79页 |
| 4.1 PI/Cr复合薄膜的气相沉积聚合制备工艺 | 第54-55页 |
| 4.2 气相沉积聚合制备PI/Cr复合薄膜的结构表征 | 第55-65页 |
| 4.2.1 气相沉积聚合制备PI/Cr复合薄膜中Cr颗粒的分布特性表征 | 第55-58页 |
| 4.2.2 气相沉积聚合制备PI/Cr复合薄膜的形貌特征 | 第58-60页 |
| 4.2.3 气相沉积聚合制备PI/Cr复合薄膜的FTIR表征 | 第60-61页 |
| 4.2.4 气相沉积聚合制备PI/Cr复合薄膜的XPS表征 | 第61-65页 |
| 4.3 气相沉积聚合制备PI/Cr复合薄膜的介电特性测试 | 第65-72页 |
| 4.4 气相沉积聚合制备PI/Cr复合薄膜的记忆特性研究 | 第72-78页 |
| 4.5 本章小结 | 第78-79页 |
| 第五章 气相沉积聚合PI薄膜在FBAR中的应用研究 | 第79-91页 |
| 5.1 压电薄膜材料的选择 | 第79-81页 |
| 5.2 PI/Mo多层膜Bragg反射层的制备 | 第81-82页 |
| 5.3 AlN压电薄膜的制备与性能 | 第82-87页 |
| 5.4 FBAR器件研制 | 第87-90页 |
| 5.5 本章小结 | 第90-91页 |
| 第六章 气相沉积聚合PI薄膜在pMUT中的应用研究 | 第91-98页 |
| 6.1 pMUT器件研制工艺 | 第92-93页 |
| 6.2 pMUT器件性能 | 第93-95页 |
| 6.3 pMUT在生物组织光声成像中的应用演示 | 第95-97页 |
| 6.4 本章小结 | 第97-98页 |
| 第七章 高介电常数PI薄膜在GaN HEMTs中的应用 | 第98-116页 |
| 7.1 PI/Cr复合薄膜钝化的GaN HEMT器件研制工艺 | 第100-101页 |
| 7.2 GaN HEMT器件性能测试 | 第101-108页 |
| 7.3 PI/Cr钝化GaN HEMTs器件的电场分布仿真 | 第108-113页 |
| 7.4 PI/Cr高介电常数薄膜在GaN HEMTs器件中的应用价值讨论 | 第113-115页 |
| 7.5 本章小结 | 第115-116页 |
| 第八章 结论 | 第116-118页 |
| 8.1 主要结论 | 第116-117页 |
| 8.2 创新点 | 第117-118页 |
| 致谢 | 第118-119页 |
| 参考文献 | 第119-129页 |
| 攻读博士学位期间取得的成果 | 第129-130页 |
