中文摘要 | 第3-5页 |
Abstract | 第5-6页 |
第一章 绪论 | 第10-14页 |
第二章 背景知识 | 第14-32页 |
2.1 计算机模拟概念 | 第14-17页 |
2.1.1 缺陷产生的计算机模拟 | 第15页 |
2.1.2 缺陷退火的计算机模拟 | 第15-17页 |
2.1.3 缺陷性质的计算机模拟 | 第17页 |
2.1.4 缺陷相互作用的计算机模拟 | 第17页 |
2.2 计算机模拟方法 | 第17-24页 |
2.2.1 辐照损伤 | 第18-20页 |
2.2.2 模拟方法 | 第20-21页 |
2.2.3 相互作用势 | 第21-24页 |
2.3 缺陷的分类与性质 | 第24-28页 |
2.3.1 缺陷的分类 | 第24页 |
2.3.2 缺陷的性质 | 第24-26页 |
2.3.3 晶界中空位与间隙原子的形成能 | 第26-28页 |
2.4 金属的晶界 | 第28-31页 |
2.4.1 晶界对材料性质的影响 | 第28-29页 |
2.4.2 小角晶界与大角晶界 | 第29-31页 |
2.5 小结 | 第31-32页 |
第三章 晶界结构与性质 | 第32-42页 |
3.1 晶界能与晶界形成能,溢出体积与晶界角度 | 第32-34页 |
3.1.1 晶界能与晶界形成能 | 第32-33页 |
3.1.2 溢出体积与晶界角度 | 第33-34页 |
3.2 晶界结构 | 第34-39页 |
3.3 计算结果 | 第39-41页 |
3.4 小结 | 第41-42页 |
第四章 He团簇在晶界处的性质 | 第42-70页 |
4.1 BCC晶体的间隙原子位置 | 第42-44页 |
4.1.1 Fe作为自间隙原子的位置 | 第42-43页 |
4.1.2 He作为自间隙原子的位置 | 第43-44页 |
4.2 He_mV_n团簇的平均形成能随晶界角度的变化 | 第44-54页 |
4.2.1 绕<110>轴旋转而成的晶界对He_mV_n团簇平均形成能的影响 | 第44-49页 |
4.2.2 绕<100>轴旋转而成的晶界对He_mV_n团簇平均形成能的影响 | 第49-53页 |
4.2.3 结论:晶界对He_mV_n团簇的形成能的影响 | 第53-54页 |
4.3 He_mV_n团簇中He原子的平均势能随晶界角度的变化 | 第54-64页 |
4.3.1 绕<110>轴旋转而成的晶界对He_mV_n团簇平均势能的影响 | 第54-59页 |
4.3.2 绕<100>轴旋转而成的晶界对He_mV_n团簇平均势能的影响 | 第59-63页 |
4.3.3 结论:晶界对He_mV_n团簇的势能的影响 | 第63-64页 |
4.4 晶界中He团簇的平均势能随温度的变化 | 第64-69页 |
4.5 小结 | 第69-70页 |
第五章 分子动力学模拟He在晶界∑3<110>{112}中的行为 | 第70-93页 |
5.1 模拟方法 | 第70-74页 |
5.2 体系中的点缺陷与团簇 | 第74-79页 |
5.3 体系中晶体部分的点缺陷与缺陷团簇 | 第79-81页 |
5.4 晶界中的点缺陷与缺陷团簇 | 第81-89页 |
5.5 晶界内的缺陷随时间的演变 | 第89-92页 |
5.6 小结 | 第92-93页 |
第六章 总结与展望 | 第93-95页 |
6.1 总结 | 第93-94页 |
6.2 展望 | 第94-95页 |
参考文献 | 第95-100页 |
附录一 绕<110>轴旋转而成重合点阵结构 | 第100-104页 |
附录二 绕<100>轴旋转而成重合点阵结构 | 第104-107页 |
附录三 绕<110>轴旋转而形成的共格晶界的性质 | 第107-108页 |
附录四 绕<100>轴旋转而形成的共格晶界的性质 | 第108-109页 |
在学期间的研究成果 | 第109-110页 |
致谢 | 第110页 |