| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-16页 |
| 1.1 课题研究背景及意义 | 第9-12页 |
| 1.1.1 宽禁带材料简介 | 第9-10页 |
| 1.1.2 GaN基HEMT的研究意义 | 第10-12页 |
| 1.2 GaN基HEMT研究进展和面临的问题 | 第12-15页 |
| 1.2.1 GaN基HEMT研究进展 | 第12-13页 |
| 1.2.2 电流崩塌简介 | 第13-15页 |
| 1.3 论文研究内容 | 第15-16页 |
| 第二章 GaN HEMT器件基础 | 第16-28页 |
| 2.1 自发极化和压电极化 | 第16-18页 |
| 2.1.1 自发极化效应 | 第16-17页 |
| 2.1.2 压电极化 | 第17-18页 |
| 2.2 器件结构和工作原理 | 第18-23页 |
| 2.2.1 器件结构 | 第18-19页 |
| 2.2.2 2DEG产生机理 | 第19-20页 |
| 2.2.3 工作原理 | 第20-23页 |
| 2.3 InAlN/GaN HEMT的特点 | 第23-25页 |
| 2.4 GaN异质结生长和器件制备 | 第25-28页 |
| 第三章 InAlN/GaN HEMT电流崩塌测试及分析 | 第28-43页 |
| 3.1 电流崩塌的理论模型 | 第28-30页 |
| 3.1.1 逆压电极化效应模型 | 第28-29页 |
| 3.1.2 虚栅模型 | 第29-30页 |
| 3.2 测试结果及分析 | 第30-38页 |
| 3.2.1 InAlN/GaN HEMT的性能表征 | 第32-33页 |
| 3.2.2 栅应力条件下的电流崩塌现象 | 第33-38页 |
| 3.3 栅脉冲条件下的电流崩塌实验 | 第38-39页 |
| 3.4 改善电流崩塌现象的措施 | 第39-43页 |
| 第四章 器件仿真 | 第43-57页 |
| 4.1 仿真工具简介 | 第43-44页 |
| 4.2 仿真模型 | 第44-48页 |
| 4.3 器件直流特性仿真 | 第48-53页 |
| 4.3.1 器件结构 | 第48页 |
| 4.3.2 器件的直流特性仿真和实验结果对比 | 第48-50页 |
| 4.3.3 结构参数对器件性能影响 | 第50-53页 |
| 4.4 电流崩塌效应仿真 | 第53-57页 |
| 第五章 总结和展望 | 第57-59页 |
| 参考文献 | 第59-63页 |
| 发表论文 | 第63-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |