用于消除RF MEMS开关介质充电的新型微驱动结构
| 摘要 | 第3-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第10-20页 |
| 1.1 概述 | 第10-14页 |
| 1.2 RF MEMS开关发展历史 | 第14-17页 |
| 1.3 RF MEMS开关应用 | 第17页 |
| 1.4 本课题的研究背景及意义 | 第17-18页 |
| 1.5 本文主要研究内容 | 第18-20页 |
| 第2章 RF MEMS开关可靠性 | 第20-32页 |
| 2.1 RF MEMS开关驱动方式 | 第20-23页 |
| 2.1.1 非静电驱动 | 第21-23页 |
| 2.1.2 静电驱动 | 第23页 |
| 2.2 RF MEMS开关可靠性 | 第23-25页 |
| 2.2.1 MEMS可靠性 | 第23-24页 |
| 2.2.2 RF MEMS开关可靠性 | 第24-25页 |
| 2.3 电容式RF MEMS开关介质充电产生机理 | 第25-32页 |
| 2.3.1 电介质传导机制 | 第26-28页 |
| 2.3.2 失效模型 | 第28-32页 |
| 第3章 电荷积累消除方法 | 第32-44页 |
| 3.1 RF MEMS开关介质充电消除方法 | 第32-39页 |
| 3.1.1 改善介质层 | 第32-34页 |
| 3.1.2 降低驱动电压 | 第34-35页 |
| 3.1.3 优化驱动波形 | 第35-36页 |
| 3.1.4 优化结构设计 | 第36-38页 |
| 3.1.5 非静电的驱动方式 | 第38-39页 |
| 3.2 新型消除方法 | 第39-44页 |
| 3.2.1 静电斥力驱动方式 | 第40-42页 |
| 3.2.2 有限元分析 | 第42-44页 |
| 第4章 静电斥力驱动结构的设计与仿真 | 第44-56页 |
| 4.1 仿真边界条件设置 | 第44-46页 |
| 4.2 静电斥力驱动典型结构仿真 | 第46-49页 |
| 4.3 新型结构设计 | 第49-54页 |
| 4.3.1 极板长度 | 第51-52页 |
| 4.3.2 极板厚度 | 第52-53页 |
| 4.3.3 上下极板间距 | 第53-54页 |
| 4.3.4 极板水平间距 | 第54页 |
| 4.4 结论 | 第54-56页 |
| 第5章 总结与展望 | 第56-58页 |
| 5.1 本论文所完成的工作 | 第56-57页 |
| 5.2 进一步研究的方向 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-64页 |
| 致谢 | 第64-66页 |
| 攻读硕士学位期间已发表和录用的学术论文 | 第66页 |
