| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4页 |
| 目录 | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第6-16页 |
| 1.1 氧化钒高温相和低温相的晶体结构 | 第6-8页 |
| 1.2 二氧化钒的相变性质 | 第8-10页 |
| 1.3 掺杂对 VO_2薄膜性能的影响 | 第10-11页 |
| 1.4 掺杂改变 VO_2薄膜性能的原理 | 第11-12页 |
| 1.5 半导体能带理论对掺杂 VO_2薄膜性能改变的解释 | 第12-13页 |
| 1.6 掺杂 VO_2薄膜的应用前景 | 第13-15页 |
| 1.7 课题的目的、意义及主要内容 | 第15-16页 |
| 第二章 掺杂 VO_2薄膜的制备方法及表征手段 | 第16-22页 |
| 2.1 掺杂 VO_2薄膜的制备方法 | 第16-18页 |
| 2.2 掺杂 VO_2薄膜的表征方法 | 第18-22页 |
| 第三章 实验方案 | 第22-26页 |
| 3.1 实验的设备、材料及试剂 | 第22页 |
| 3.2 磁控溅射镀膜 | 第22-25页 |
| 3.3 实验流程图 | 第25-26页 |
| 第四章 样品薄膜的制备 | 第26-31页 |
| 4.1 基片表面预处理 | 第26页 |
| 4.2 射频反应磁控溅射具体操作 | 第26-27页 |
| 4.3 未掺杂氧化钒薄膜的制备 | 第27-28页 |
| 4.4 钨掺杂氧化钒薄膜的制备 | 第28-30页 |
| 4.5 本章小结 | 第30-31页 |
| 第五章 薄膜的检测及结果的讨论 | 第31-46页 |
| 5.1 未掺杂氧化钒薄膜的测试及结果的讨论 | 第31-40页 |
| 5.2 钨掺杂氧化钒薄膜的测试及结果分析 | 第40-44页 |
| 5.3 本章小结 | 第44-46页 |
| 第六章 钨掺杂对氧化钒薄膜的影响 | 第46-50页 |
| 6.1 钨掺杂对氧化钒薄膜物相的影响 | 第46页 |
| 6.2 钨掺杂对氧化钒薄膜表面形貌的影响 | 第46-47页 |
| 6.3 钨掺杂对氧化钒薄膜光学性能的影响 | 第47-48页 |
| 6.4 钨掺杂对相变性能的影响 | 第48-49页 |
| 6.5 钨掺杂对氧化钒薄膜电学性能的影响 | 第49页 |
| 6.6 本章小结 | 第49-50页 |
| 第七章 结论与展望 | 第50-51页 |
| 7.1 结论 | 第50页 |
| 7.2 展望 | 第50-51页 |
| 参考文献 | 第51-55页 |
| 发表的论文 | 第55-56页 |
| 致谢 | 第56页 |