| 摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第8-16页 |
| 1.1 传统MOSFET的问题 | 第8-9页 |
| 1.2 SOI简介 | 第9-12页 |
| 1.2.1 SOI的结构和特点 | 第9-11页 |
| 1.2.2 SOI的分类 | 第11-12页 |
| 1.3 FDSOI的发展及现状 | 第12-14页 |
| 1.4 本文工作 | 第14-16页 |
| 第2章 MOS器件建模方法 | 第16-22页 |
| 2.1 数值方法 | 第16-17页 |
| 2.2 解析计算方法 | 第17-19页 |
| 2.3 半解析法 | 第19-22页 |
| 第3章 基于半解析法的二维FDSOI MOSFET模型建模 | 第22-39页 |
| 3.1 高K介质简介 | 第22-24页 |
| 3.2 高K+SiO_2 FDSOI MOSFET的模型建立 | 第24-25页 |
| 3.3 FD SOI MOSFET模型边界条件的确立 | 第25-28页 |
| 3.4 边界条件简化及求解 | 第28-33页 |
| 3.5 待定系数方程组求解 | 第33-35页 |
| 3.6 阈值电压模型 | 第35-38页 |
| 3.7 本章小结 | 第38-39页 |
| 第4章 高k+SiO_2栅FDSOI MOSFET阈值电压和DIBL效应计算与分析 | 第39-56页 |
| 4.1 高k栅FDSOI MOSFET阈值电压的计算与分析 | 第39-43页 |
| 4.2 高k介电常数对阈值电压的影响 | 第43-46页 |
| 4.3 高k栅FDSOI MOSFET边缘电容对栅电容和阈值电压的影响 | 第46-51页 |
| 4.3.1 平行板电容器边缘电容的计算 | 第46-48页 |
| 4.3.2 等电容设计规则的栅电容计算公式 | 第48-51页 |
| 4.4 DIBL效应与介电常数的关系 | 第51-54页 |
| 4.5 本章小结 | 第54-56页 |
| 第5章 总结与展望 | 第56-58页 |
| 5.1 总结 | 第56-57页 |
| 5.2 展望 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-62页 |
| 致谢 | 第62-63页 |
| 攻读硕士学位期间的研究成果 | 第63页 |
