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氧化钨基半导体异质结光催化剂的构建及其光催化性质的研究

摘要第4-6页
Abstract第6-7页
第一章 绪论第10-21页
    1.1 课题研究背景第10页
    1.2 半导体光催化技术第10-13页
        1.2.1 半导体光催化的原理第10-11页
        1.2.2 半导体光催化剂的改性第11-13页
        1.2.3 半导体光催化的应用第13页
    1.3 半导体异质结光催化剂第13-20页
        1.3.1 半导体-半导体异质结光催化剂第14-15页
        1.3.2 半导体-金属异质结光催化剂第15-17页
        1.3.3 半导体-碳材料异质结光催化剂第17-19页
        1.3.4 多组分异质结光催化剂第19-20页
    1.4 本论文的选题意义与研究内容第20-21页
第二章 Ag_2WO_4/WO_3异质结光催化剂的合成及其光催化性质的研究第21-31页
    2.1 前言第21页
    2.2 实验部分第21-23页
        2.2.1 实验试剂第21-22页
        2.2.2 Ag_2WO_4/WO_3异质结光催化剂的制备第22页
        2.2.3 Ag_2WO_4/WO_3异质结光催化剂的相结构、组成及光吸收性质表征第22页
        2.2.4 Ag_2WO_4/WO_3异质结光催化剂性能测试第22-23页
    2.3 结果与讨论第23-30页
        2.3.1 Ag_2WO_4/WO_3异质结光催化剂的相结构、形貌和光吸收特性第23-27页
        2.3.2 Ag_2WO_4/WO_3异质结光催化剂性能测试第27-28页
        2.3.3 Ag_2WO_4/WO_3异质结光催化剂降解污染物的机理第28-29页
        2.3.4 Ag_2WO_4/WO_3异质结光催化剂的稳定性第29-30页
    2.4 本章小结第30-31页
第三章 WO_3/g-C_3N_4异质结光催化剂的合成及其光催化性质的研究第31-40页
    3.1 前言第31页
    3.2 实验部分第31-33页
        3.2.1 实验试剂第31页
        3.2.2 WO_3/g-C_3N_4异质结光催化剂的制备第31-32页
        3.2.3 WO_3/g-C_3N_4异质结光催化剂的相结构、组成及光吸收性质表征第32页
        3.2.4 WO_3/g-C_3N_4异质结光催化剂性能测试第32-33页
    3.3 结果与讨论第33-38页
        3.3.1 WO_3/g-C_3N_4异质结光催化剂的相结构、形貌和光吸收特性第33-35页
        3.3.2 WO_3/g-C_3N_4异质结光催化剂性能测试第35-36页
        3.3.3 WO_3/g-C_3N_4异质结光催化剂降解污染物的机理第36-38页
        3.3.4 WO_3/g-C_3N_4异质结光催化剂的稳定性第38页
    3.4 本章小结第38-40页
第四章 结论第40-41页
参考文献第41-48页
致谢第48页

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