中文摘要 | 第4-6页 |
ABSTRACT | 第6-7页 |
第1章 绪论 | 第11-25页 |
1.1 论文工作研究背景 | 第11-14页 |
1.2 国内外研究动态 | 第14-21页 |
1.2.1 全光逻辑处理方面的国内外动态 | 第14-17页 |
1.2.2 共振隧穿二极管国内外发展动态 | 第17-19页 |
1.2.3 定向耦合器国内外发展动态 | 第19-21页 |
1.3 论文的主要创新点及结构安排 | 第21-25页 |
第2章 LOA理论基础 | 第25-37页 |
2.1 引言 | 第25-26页 |
2.2 LOA的基本理论 | 第26-29页 |
2.2.1 LOA的基本结构 | 第26-27页 |
2.2.2 LOA的理论模型 | 第27-29页 |
2.3 LOA的优势及应用 | 第29-36页 |
2.3.1 LOA的优势 | 第30页 |
2.3.2 LOA的应用 | 第30-36页 |
2.4 本章小结 | 第36-37页 |
第3章 基于LOA-XGM全光逻辑门的研究 | 第37-65页 |
3.1 引言 | 第37-39页 |
3.2 基于LOA-XGM的理论模型 | 第39-41页 |
3.3 基于LOA-XGM全光逻辑AND与NOR门 | 第41-49页 |
3.3.1 AND门的理论结构 | 第41-44页 |
3.3.2 AND门的仿真与优化 | 第44-45页 |
3.3.3 NOR门的理论结构 | 第45-46页 |
3.3.4 NOR门的仿真与优化 | 第46页 |
3.3.5 基于LOA-XGM的载流子密度变化 | 第46-48页 |
3.3.6 基于LOA-XGM的性能研究 | 第48-49页 |
3.4 基于LOA-XGM全光逻辑XOR门设计 | 第49-56页 |
3.4.1 XOR门的结构设计 | 第49-52页 |
3.4.2 仿真分析与优化 | 第52-56页 |
3.5 基于LOA-XGM全光逻辑XNOR门设计 | 第56-62页 |
3.5.1 XNOR门的结构设计 | 第56-57页 |
3.5.2 仿真分析与优化 | 第57-62页 |
3.6 本章小结 | 第62-65页 |
第4章 RTD电阻特性的研究 | 第65-83页 |
4.1 引言 | 第65-66页 |
4.2 RTD的理论基础 | 第66-73页 |
4.2.1 共振隧穿器件的特点 | 第66页 |
4.2.2 双势垒量子势阱结构 | 第66-67页 |
4.2.3 RTD的物理过程 | 第67-68页 |
4.2.4 双势垒单势阱结构共振隧穿的两种物理模型 | 第68-72页 |
4.2.5 负微分电阻 | 第72-73页 |
4.3 RTD电阻间的关系研究 | 第73-76页 |
4.3.1 本征负电阻 | 第73-74页 |
4.3.2 串联电阻 | 第74页 |
4.3.3 实测直流负阻 | 第74-75页 |
4.3.4 表观正阻 | 第75页 |
4.3.5 RTD电阻参数的关系 | 第75-76页 |
4.4 实验结果与分析 | 第76-82页 |
4.4.1 串联电阻的测量 | 第76-79页 |
4.4.2 本征负阻的测量 | 第79-80页 |
4.4.3 表观正阻的测量与显示 | 第80-82页 |
4.5 本章小结 | 第82-83页 |
第5章 转向定向耦合器的研究 | 第83-103页 |
5.1 引言 | 第83-84页 |
5.2 定向耦合器的基本理论 | 第84-88页 |
5.2.1 定向耦合器的理论模型 | 第84-86页 |
5.2.2 定向耦合器的性能指标 | 第86-88页 |
5.3 转向定向耦合器的设计 | 第88-98页 |
5.3.1 转向定向耦合器模型建立 | 第89-92页 |
5.3.2 周期负载转向耦合线的引入 | 第92-94页 |
5.3.3 开槽转向耦合器的设计与优化 | 第94-98页 |
5.4 开槽式转向耦合器的实验研究 | 第98-101页 |
5.5 本章小结 | 第101-103页 |
第6章 总结与展望 | 第103-105页 |
6.1 总结 | 第103-104页 |
6.2 展望 | 第104-105页 |
参考文献 | 第105-117页 |
发表论文和参加科研情况说明 | 第117-119页 |
致谢 | 第119-120页 |