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基于LOA的全光逻辑技术及RTD、转向耦合器的研究

中文摘要第4-6页
ABSTRACT第6-7页
第1章 绪论第11-25页
    1.1 论文工作研究背景第11-14页
    1.2 国内外研究动态第14-21页
        1.2.1 全光逻辑处理方面的国内外动态第14-17页
        1.2.2 共振隧穿二极管国内外发展动态第17-19页
        1.2.3 定向耦合器国内外发展动态第19-21页
    1.3 论文的主要创新点及结构安排第21-25页
第2章 LOA理论基础第25-37页
    2.1 引言第25-26页
    2.2 LOA的基本理论第26-29页
        2.2.1 LOA的基本结构第26-27页
        2.2.2 LOA的理论模型第27-29页
    2.3 LOA的优势及应用第29-36页
        2.3.1 LOA的优势第30页
        2.3.2 LOA的应用第30-36页
    2.4 本章小结第36-37页
第3章 基于LOA-XGM全光逻辑门的研究第37-65页
    3.1 引言第37-39页
    3.2 基于LOA-XGM的理论模型第39-41页
    3.3 基于LOA-XGM全光逻辑AND与NOR门第41-49页
        3.3.1 AND门的理论结构第41-44页
        3.3.2 AND门的仿真与优化第44-45页
        3.3.3 NOR门的理论结构第45-46页
        3.3.4 NOR门的仿真与优化第46页
        3.3.5 基于LOA-XGM的载流子密度变化第46-48页
        3.3.6 基于LOA-XGM的性能研究第48-49页
    3.4 基于LOA-XGM全光逻辑XOR门设计第49-56页
        3.4.1 XOR门的结构设计第49-52页
        3.4.2 仿真分析与优化第52-56页
    3.5 基于LOA-XGM全光逻辑XNOR门设计第56-62页
        3.5.1 XNOR门的结构设计第56-57页
        3.5.2 仿真分析与优化第57-62页
    3.6 本章小结第62-65页
第4章 RTD电阻特性的研究第65-83页
    4.1 引言第65-66页
    4.2 RTD的理论基础第66-73页
        4.2.1 共振隧穿器件的特点第66页
        4.2.2 双势垒量子势阱结构第66-67页
        4.2.3 RTD的物理过程第67-68页
        4.2.4 双势垒单势阱结构共振隧穿的两种物理模型第68-72页
        4.2.5 负微分电阻第72-73页
    4.3 RTD电阻间的关系研究第73-76页
        4.3.1 本征负电阻第73-74页
        4.3.2 串联电阻第74页
        4.3.3 实测直流负阻第74-75页
        4.3.4 表观正阻第75页
        4.3.5 RTD电阻参数的关系第75-76页
    4.4 实验结果与分析第76-82页
        4.4.1 串联电阻的测量第76-79页
        4.4.2 本征负阻的测量第79-80页
        4.4.3 表观正阻的测量与显示第80-82页
    4.5 本章小结第82-83页
第5章 转向定向耦合器的研究第83-103页
    5.1 引言第83-84页
    5.2 定向耦合器的基本理论第84-88页
        5.2.1 定向耦合器的理论模型第84-86页
        5.2.2 定向耦合器的性能指标第86-88页
    5.3 转向定向耦合器的设计第88-98页
        5.3.1 转向定向耦合器模型建立第89-92页
        5.3.2 周期负载转向耦合线的引入第92-94页
        5.3.3 开槽转向耦合器的设计与优化第94-98页
    5.4 开槽式转向耦合器的实验研究第98-101页
    5.5 本章小结第101-103页
第6章 总结与展望第103-105页
    6.1 总结第103-104页
    6.2 展望第104-105页
参考文献第105-117页
发表论文和参加科研情况说明第117-119页
致谢第119-120页

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