SiC薄膜制备与磁性研究
| 中文摘要 | 第4-5页 |
| 英文摘要 | 第5-6页 |
| 1 绪论 | 第10-16页 |
| 1.1 引言 | 第10页 |
| 1.2 物质的磁性 | 第10-11页 |
| 1.3 SiC的特性 | 第11-13页 |
| 1.4 掺杂SiC半导体的磁性 | 第13-15页 |
| 1.4.1 Fe掺杂SiC | 第13页 |
| 1.4.2 Mn掺杂SiC | 第13-14页 |
| 1.4.3 Cr掺杂SiC | 第14页 |
| 1.4.4 Ni掺杂SiC | 第14页 |
| 1.4.5 Al,N掺杂SiC | 第14-15页 |
| 1.5 研究内容和选题意义 | 第15-16页 |
| 2 样品制备与表征 | 第16-22页 |
| 2.1 样品制备 | 第16-18页 |
| 2.1.1 射频溅射 | 第16-17页 |
| 2.1.2 磁控溅射 | 第17页 |
| 2.1.3 Si片清洗 | 第17-18页 |
| 2.2 样品的表征 | 第18-22页 |
| 2.2.1 薄膜膜厚 | 第18-19页 |
| 2.2.2 X射线衍射仪 | 第19页 |
| 2.2.3 红外光谱 | 第19页 |
| 2.2.4 物理性能测试仪 | 第19页 |
| 2.2.5 第一性原理计算 | 第19-21页 |
| 2.2.6 荧光分光光度计 | 第21页 |
| 2.2.7 扫描探针显微镜 | 第21-22页 |
| 3 Cu掺杂SiC薄膜制备与研究 | 第22-31页 |
| 3.1 引言 | 第22页 |
| 3.2 实验 | 第22页 |
| 3.3 Cu掺杂SiC薄膜磁性分析 | 第22-29页 |
| 3.3.1 薄膜磁性 | 第22-25页 |
| 3.3.2 物相分析 | 第25-26页 |
| 3.3.3 表面结构 | 第26-27页 |
| 3.3.4 红外光谱 | 第27-29页 |
| 3.3.5 Cu掺杂SiC薄膜磁性起源 | 第29页 |
| 3.4 本章小结 | 第29-31页 |
| 4 Al掺杂SiC薄膜的制备与研究 | 第31-38页 |
| 4.1 引言 | 第31页 |
| 4.2 实验 | 第31页 |
| 4.3 Al掺杂SiC薄膜磁性分析 | 第31-36页 |
| 4.3.1 物相分析 | 第31-32页 |
| 4.3.2 磁性分析 | 第32-33页 |
| 4.3.3 微结构分析 | 第33-34页 |
| 4.3.4 红外光谱 | 第34-35页 |
| 4.3.5 第一性原理计算和磁性起源 | 第35-36页 |
| 4.4 本章小结 | 第36-38页 |
| 5 C掺杂SiC薄膜的制备与研究 | 第38-47页 |
| 5.1 引言 | 第38页 |
| 5.2 实验 | 第38页 |
| 5.3 结构和磁性分析 | 第38-45页 |
| 5.3.1 物相分析 | 第38-39页 |
| 5.3.2 样品的磁性 | 第39-42页 |
| 5.3.3 微结构和磁畴分析 | 第42页 |
| 5.3.4 红外光谱 | 第42-43页 |
| 5.3.5 光致发光 | 第43页 |
| 5.3.6 磁性起源分析 | 第43-45页 |
| 5.4 本章小结 | 第45-47页 |
| 结论 | 第47-48页 |
| 参考文献 | 第48-54页 |
| 致谢 | 第54-55页 |
| 攻读学位期间取得的科研成果清单 | 第55页 |
