| 内容提要 | 第4-6页 |
| 摘要 | 第6-10页 |
| Abstract | 第10-14页 |
| 第一章 前言 | 第17-41页 |
| 1.1 ZnO材料的性质 | 第17-19页 |
| 1.2 ZnO材料研究现状 | 第19-36页 |
| 1.2.1 ZnO的本征缺陷 | 第19-21页 |
| 1.2.2 ZnO的p型掺杂 | 第21-25页 |
| 1.2.3 基于ZnO的电致发光 | 第25-36页 |
| 1.3 ZnO材料的应用 | 第36-37页 |
| 1.4 ZnO薄膜的制备方法 | 第37-39页 |
| 1.5 本论文主要研究内容 | 第39-41页 |
| 第二章 ZnO薄膜生长设备及样品的表征方法 | 第41-57页 |
| 2.1 本论文中生长ZnO薄膜所用的MOCVD系统简介 | 第41-45页 |
| 2.1.1 MOCVD生长ZnO薄膜采用的源材料 | 第41-42页 |
| 2.1.2 ZnO薄膜生长用等离子体辅助MOCVD系统 | 第42-45页 |
| 2.2 ZnO薄膜的表征 | 第45-57页 |
| 第三章 ZnO薄膜的MOCVD方法制备及其特性 | 第57-73页 |
| 3.1 蓝宝石Al_2O_3衬底上ZnO薄膜的生长 | 第58-64页 |
| 3.1.1 MOCVD生长ZnO薄膜条件 | 第58-59页 |
| 3.1.2 ZnO薄膜的特性分析 | 第59-64页 |
| 3.2 GaAs衬底上ZnO薄膜的生长 | 第64-72页 |
| 3.2.1 As在ZnO中引入的受主态 | 第64-65页 |
| 3.2.2 GaAs衬底上制备p型ZnO薄膜 | 第65-72页 |
| 3.3 本章小结 | 第72-73页 |
| 第四章 ZnO薄膜的As掺杂及其异质结发光器件 | 第73-93页 |
| 4.1 扩散理论的模型简介 | 第73-74页 |
| 4.2 蓝宝石衬底上制备砷化镓夹层 | 第74-75页 |
| 4.3 GaAs夹层上制备的ZnO薄膜结构特性 | 第75页 |
| 4.4 ZnO薄膜的X射线光电子能谱分析 | 第75-77页 |
| 4.5 ZnO薄膜的电学特性 | 第77-78页 |
| 4.6 ZnO薄膜的光学特性 | 第78-80页 |
| 4.7 基于p-ZnO:As薄膜器件的制备 | 第80-91页 |
| 4.7.1 电极材料的选择 | 第80页 |
| 4.7.2 基于n-Si上的异质结器件的I-V特性 | 第80-82页 |
| 4.7.3. 基于ITO上生长的ZnO同质结的IV特性 | 第82-84页 |
| 4.7.4 p-ZnO/n-GaN 基异质结器件 | 第84-91页 |
| 4.8 本章小结 | 第91-93页 |
| 第五章 NiZnO薄膜的制备与研究 | 第93-111页 |
| 5.1 MOCVD法制备NiZnO薄膜材料 | 第94-97页 |
| 5.1.1 衬底的选择与清洗 | 第94-95页 |
| 5.1.2 薄膜的制备过程 | 第95-97页 |
| 5.2 Ni组分变化对NiZnO薄膜性质的影响 | 第97-103页 |
| 5.2.1 Ni组分变化对NiZnO薄膜结晶特性的影响 | 第98-100页 |
| 5.2.2 Ni组分变化对NiZnO薄膜光学特性的影响 | 第100-101页 |
| 5.2.3 Ni组分变化对NiZnO薄膜表面形貌的影响 | 第101页 |
| 5.2.4 Ni组分变化对NiZnO薄膜电学特性的影响 | 第101-102页 |
| 5.2.5 本节小结 | 第102-103页 |
| 5.3 镍、氧共调对NiZnO薄膜性质的影响 | 第103-109页 |
| 5.3.1 镍、氧共调对NiZnO薄膜结晶特性的影响 | 第103-104页 |
| 5.3.2 Ni组分变化对NiZnO薄膜表面形貌的影响 | 第104-105页 |
| 5.3.3 Ni组分变化对NiZnO薄膜光学特性的影响 | 第105-106页 |
| 5.3.4 Ni组分变化对NiZnO薄膜电学特性的影响 | 第106-109页 |
| 5.4 本章小结 | 第109-111页 |
| 结论 | 第111-115页 |
| 本论文的创新点 | 第115-117页 |
| 参考文献 | 第117-129页 |
| 作者简介及在学期间所取得的科研成果 | 第129-135页 |
| 致谢 | 第135页 |
