异质外延生长中应变对圆形岛形貌稳定性的影响
| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-22页 |
| 1.1 研究背景 | 第9-10页 |
| 1.2 外延薄膜的生长过程 | 第10-16页 |
| 1.2.1 生长模式及分类 | 第11-13页 |
| 1.2.2 原子吸附过程 | 第13-14页 |
| 1.2.3 原子扩散过程 | 第14-15页 |
| 1.2.4 薄膜的成核过程 | 第15-16页 |
| 1.3 外延生长中的形貌失稳现象 | 第16-20页 |
| 1.3.1 外延薄膜的形貌失稳 | 第16-18页 |
| 1.3.2 国内外研究现状 | 第18-20页 |
| 1.4 主要内容及研究目的 | 第20-22页 |
| 第二章 薄膜生长的研究方法和影响因素 | 第22-31页 |
| 2.1 主要研究方法 | 第22-24页 |
| 2.1.1 连续模型 | 第22-23页 |
| 2.1.2 离散模型 | 第23-24页 |
| 2.2 影响薄膜生长的主要因素 | 第24-28页 |
| 2.2.1 失配应变 | 第24-26页 |
| 2.2.2 生长条件 | 第26-27页 |
| 2.2.3 E-S 势垒 | 第27-28页 |
| 2.3 线性稳定性分析 | 第28-29页 |
| 2.4 Gibbs-Thomson 关系 | 第29-31页 |
| 第三章 圆形岛形貌稳定性的基本理论 | 第31-43页 |
| 3.1 基本模型与方程 | 第31-36页 |
| 3.1.1 初始扩散场 | 第32-33页 |
| 3.1.2 初始弹性场 | 第33-35页 |
| 3.1.3 无量纲化 | 第35-36页 |
| 3.2 线性稳定性分析 | 第36-43页 |
| 3.2.1 受扰动后的弹性场 | 第36-40页 |
| 3.2.2 受扰动后的扩散场 | 第40-43页 |
| 第四章 Ge/Si 系统圆形岛的形貌稳定性研究 | 第43-63页 |
| 4.1 应变下圆形岛的形貌稳定性分析 | 第43-48页 |
| 4.1.1 失配应变的影响 | 第43-45页 |
| 4.1.2 外场应变的影响 | 第45-48页 |
| 4.2 其他因素对岛形貌稳定性的影响 | 第48-53页 |
| 4.2.1 原子岛初始半径的影响 | 第48页 |
| 4.2.2 沉积流量的影响 | 第48-49页 |
| 4.2.3 远场流量的影响 | 第49-50页 |
| 4.2.4 线张力的影响 | 第50-51页 |
| 4.2.5 薄膜/基底系统剪切比的影响 | 第51-52页 |
| 4.2.6 E-S 势垒的影响 | 第52-53页 |
| 4.3 临界岛半径 | 第53-57页 |
| 4.4 临界沉积流量 | 第57-63页 |
| 4.4.1 失配应变对临界沉积流量的影响 | 第57-58页 |
| 4.4.2 外场应变对临界沉积流量的影响 | 第58-60页 |
| 4.4.3 远场流量对临界沉积流量的影响 | 第60-63页 |
| 第五章 总结和展望 | 第63-65页 |
| 5.1 本文总结 | 第63-64页 |
| 5.2 展望 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-70页 |
| 发表论文和参加科研情况说明 | 第70-71页 |
| 致谢 | 第71页 |
