摘要 | 第4-6页 |
Abstract | 第6-8页 |
第1章 绪论 | 第12-23页 |
1.1 非晶半导体 | 第12-13页 |
1.2 非晶半导体的分类 | 第13-14页 |
1.3 非晶半导体的结构 | 第14-17页 |
1.4 非晶半导体的电子结构与导电性 | 第17-19页 |
1.5 非晶半导体的制备途径 | 第19-20页 |
1.6 非晶半导体的应用 | 第20-22页 |
1.7 本论文背景及概述 | 第22-23页 |
第2章 理论基础 | 第23-38页 |
2.1 第一性原理 | 第23-24页 |
2.2 薛定谔方程 | 第24-25页 |
2.3 Born-Oppenheimer近似 | 第25-27页 |
2.4 Hartree-Fock近似 | 第27-30页 |
2.5 密度泛函理论 | 第30-35页 |
2.5.1 密度泛函理论简介 | 第30页 |
2.5.2 Hohenberg-Kohn定理 | 第30-33页 |
2.5.3 Kohn-Sham方程 | 第33-34页 |
2.5.4 交换关联能泛函 | 第34-35页 |
2.6 分子动力学 | 第35-37页 |
2.7 计算工具 | 第37-38页 |
第3章 锑化铝非晶结构和稳定性的第一性原理分子动力学研究 | 第38-62页 |
3.1 研究背景 | 第38-42页 |
3.2 建模过程及参数选择 | 第42-43页 |
3.3 非晶模型合理性验证 | 第43-48页 |
3.3.1 高温和液相的均方位移函数 | 第43-45页 |
3.3.2 非晶AlSb的对关联函数 | 第45-48页 |
3.4 非晶AlSb成键原子图像 | 第48-53页 |
3.4.1 非晶AlSb的键角和配位数分布 | 第48-52页 |
3.4.2 本节小结 | 第52-53页 |
3.5 非晶AlSb的电子结构表征 | 第53-60页 |
3.5.1 非晶AlSb的电子局域函数分布 | 第53-56页 |
3.5.2 非晶AlSb的电荷密度差分析 | 第56-59页 |
3.5.3 光学性质 | 第59-60页 |
3.6 本章总结 | 第60-62页 |
第4章 电子激发效应对非晶Ge_2Sb_2Te_5的结构及价键影响分析 | 第62-72页 |
4.1 研究背景 | 第62-63页 |
4.2 建模过程及相关计算参数 | 第63-64页 |
4.3 非晶GST的成键规律 | 第64-67页 |
4.4 激发作用下非晶GST的结构演化分析 | 第67-70页 |
4.5 本章总结 | 第70-72页 |
第5章 电子激发驱动碳材料的sp_2价键到sp_3价键转化探索 | 第72-84页 |
5.1 研究背景 | 第72-75页 |
5.2 计算方法 | 第75-76页 |
5.3 不同条件下石墨—金刚石相变探索 | 第76-83页 |
5.3.1 金刚石晶核诱导石墨—金刚石相变 | 第76-77页 |
5.3.2 金刚石界面诱导石墨—金刚石转变 | 第77-78页 |
5.3.3 金刚石表面诱导石墨—金刚石转变 | 第78-80页 |
5.3.4 激光诱导大面积石墨—金刚石转变 | 第80-83页 |
5.4 本章总结 | 第83-84页 |
第6章 硫化锌中杂质氢的结构、稳定性和扩散的第一性原理研究 | 第84-102页 |
6.1 研究背景及研究意义 | 第84-89页 |
6.2 计算方法及建模 | 第89-90页 |
6.3 闪锌矿硫化锌的结构及电子性质 | 第90-91页 |
6.4 闪锌矿硫化锌中氢缺陷的稳定性及电子态 | 第91-99页 |
6.5 闪锌矿硫化锌中氢的迁移路径 | 第99-100页 |
6.6 本章总结 | 第100-102页 |
第7章 总结 | 第102-104页 |
参考文献 | 第104-112页 |
作者简介及在学期间所取得的科研成果 | 第112-113页 |
致谢 | 第113-114页 |