基于库单元的SET硬件模拟技术研究
| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第14-20页 |
| 1.1 研究背景与意义 | 第14-16页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第16-17页 |
| 1.3 研究内容 | 第17-18页 |
| 1.4 论文结构 | 第18-20页 |
| 第二章 单粒子瞬态理论基础 | 第20-35页 |
| 2.1 辐射粒子来源 | 第20-21页 |
| 2.2 单粒子瞬态效应产生机理 | 第21-24页 |
| 2.2.1 电荷的沉积与收集 | 第21-23页 |
| 2.2.2 单粒子瞬态效应 | 第23-24页 |
| 2.3 单粒子瞬态脉冲传播特性分析 | 第24-27页 |
| 2.3.1 掩蔽效应 | 第24-26页 |
| 2.3.2 展宽效应 | 第26-27页 |
| 2.4 瞬态电流分析 | 第27-30页 |
| 2.5 单粒子瞬态效应的模拟评估方法 | 第30-34页 |
| 2.5.1 基于模型分析的软错误率算法 | 第31页 |
| 2.5.2 基于仿真软件的模拟 | 第31-34页 |
| 2.5.3 硬件模拟 | 第34页 |
| 2.6 本章小结 | 第34-35页 |
| 第三章 单粒子瞬态物理建模 | 第35-49页 |
| 3.1 Sentaurus TCAD工具简介 | 第35-36页 |
| 3.2 三维器件建模及工艺校准 | 第36-40页 |
| 3.3 粒子入射模拟 | 第40-48页 |
| 3.3.1 模拟原理 | 第40-44页 |
| 3.3.2 模拟配置 | 第44-45页 |
| 3.3.3 模拟结果分析 | 第45-48页 |
| 3.4 本章小结 | 第48-49页 |
| 第四章 瞬态电流模型的改进及SET脉宽预测 | 第49-69页 |
| 4.1 瞬态电流模型分析及改进 | 第49-55页 |
| 4.1.1 瞬态电流模型分析 | 第49-50页 |
| 4.1.2 瞬态电流改进模型 | 第50-53页 |
| 4.1.3 模型验证 | 第53-55页 |
| 4.2 瞬态脉宽预测 | 第55-68页 |
| 4.2.1 脉宽预测原理 | 第56-61页 |
| 4.2.2 基本门单元SET脉宽预测 | 第61-68页 |
| 4.3 本章小结 | 第68-69页 |
| 第五章 单粒子瞬态FPGA硬件模拟与SER计算 | 第69-89页 |
| 5.1 模拟基础 | 第69-72页 |
| 5.1.1 瞬态脉冲注入 | 第70-71页 |
| 5.1.2 传输延时量化 | 第71-72页 |
| 5.1.3 SET脉宽量化 | 第72页 |
| 5.2 模拟系统 | 第72-76页 |
| 5.2.1 系统emulation部分 | 第73-74页 |
| 5.2.2 系统网口部分 | 第74-76页 |
| 5.3 模拟流程 | 第76-84页 |
| 5.3.1 目标电路综合 | 第76-77页 |
| 5.3.2 SET注入模型实现 | 第77-78页 |
| 5.3.3 延时与脉宽量化 | 第78-81页 |
| 5.3.4 测试向量生成与FPGA模拟 | 第81-84页 |
| 5.4 模拟结果与SER计算 | 第84-87页 |
| 5.4.1 模拟结果分析 | 第84-86页 |
| 5.4.2 SER计算 | 第86-87页 |
| 5.5 本章小结 | 第87-89页 |
| 第六章 总结与展望 | 第89-90页 |
| 致谢 | 第90-91页 |
| 参考文献 | 第91-96页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第96-97页 |
