| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 1 绪论 | 第10-20页 |
| 1.1 研究背景及意义 | 第10-11页 |
| 1.2 垂直磁化膜的研究现状 | 第11-12页 |
| 1.3 反常霍尔效应的研究现状 | 第12-15页 |
| 1.4 磁性斯格明子型存储器的研究现状 | 第15-18页 |
| 1.5 本文的课题背景及组织结构 | 第18-20页 |
| 2 局域化作用对CoFeB垂直磁化薄膜反常霍尔效应的影响 | 第20-44页 |
| 2.1 CoFeB薄膜的制备与表征 | 第20-26页 |
| 2.2 磁性薄膜中的局域化现象 | 第26-27页 |
| 2.3 局域化作用对非晶态CoFeB单层薄膜反常霍尔效应的影响 | 第27-33页 |
| 2.4 局域化作用对CoFeB垂直磁花膜反常霍尔效应的影响 | 第33-43页 |
| 2.5 本章小结 | 第43-44页 |
| 3 电流和自旋波驱动斯格明子在垂直磁性纳米线中的移动 | 第44-61页 |
| 3.1 微磁学模拟方法 | 第44-45页 |
| 3.2 自旋波简介 | 第45-46页 |
| 3.3 电流驱动斯格明子在垂直磁性纳米线中的移动 | 第46-55页 |
| 3.4 自旋波驱动斯格明子在垂直磁性纳米线中的移动 | 第55-59页 |
| 3.5 本章小结 | 第59-61页 |
| 4 总结与展望 | 第61-64页 |
| 4.1 全文总结 | 第61-62页 |
| 4.2 工作展望 | 第62-64页 |
| 参考文献 | 第64-71页 |
| 附录 攻读硕士学位期间发表的论文目录 | 第71-72页 |
| 致谢 | 第72-73页 |
