| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 目录 | 第8-10页 |
| 第1章 绪论 | 第10-18页 |
| 1.1 透明导电氧化物薄膜的研究背景 | 第10页 |
| 1.2 国内外在该方向的研究现状及分析 | 第10-12页 |
| 1.3 研究的目的和意义 | 第12页 |
| 1.4 p 型 CuAlO_2的晶体结构与能带结构 | 第12-14页 |
| 1.4.1 CuAlO_2的晶体结构 | 第12-14页 |
| 1.4.2 CuAlO_2的能带结构 | 第14页 |
| 1.5 CuAlO_2薄膜的应用前景 | 第14-16页 |
| 1.5.1 透明太阳能电池 | 第14-16页 |
| 1.5.2 发光二极管（LED） | 第16页 |
| 1.6 本文的研究思路及论文的创新点 | 第16-18页 |
| 第2章 CuAlO_2薄膜的制备与表征手段 | 第18-25页 |
| 2.1 p 型 CuAlO_2薄膜的制备方法 | 第18-19页 |
| 2.2 薄膜的制备 | 第19-23页 |
| 2.2.1 纯相多晶 CuAlO_2陶瓷靶材的制备与表征 | 第19-21页 |
| 2.2.2 衬底及靶材的清洗 | 第21-22页 |
| 2.2.3 PLD 镀膜制备 CuAlO_2薄膜的具体实验流程 | 第22页 |
| 2.2.4 CuAlO_2薄膜的生长条件 | 第22-23页 |
| 2.3 CuAlO_2薄膜结构与性能表征手段 | 第23-24页 |
| 2.3.1 CuAlO_2薄膜的相结构表征 | 第23页 |
| 2.3.2 CuAlO_2薄膜的形貌分析 | 第23-24页 |
| 2.3.3 CuAlO_2薄膜的光、电性能表征 | 第24页 |
| 2.4 本章小结 | 第24-25页 |
| 第3章 CuAlO_2薄膜物性研究 | 第25-35页 |
| 3.1 CuAlO_2薄膜的结构表征 | 第25页 |
| 3.2 Cu-Al-O 薄膜的光学性能 | 第25-29页 |
| 3.2.1 生长温度对 Cu-Al-O 薄膜光学性能的影响 | 第26页 |
| 3.2.2 氧分压对 Cu-Al-O 薄膜光学性能的影响 | 第26-27页 |
| 3.2.3 Cu-Al-O 薄膜光学带隙的计算 | 第27-29页 |
| 3.3 p-CuAlO_2/n-Si 异质结的制备与物性研究 | 第29-33页 |
| 3.3.1 实验内容 | 第30页 |
| 3.3.2 p-CuAlO_2/n-Si 异质结的电学性能 | 第30-33页 |
| 3.4 本章小结 | 第33-35页 |
| 第4章 CuAlO_2薄膜退火处理及性能研究 | 第35-55页 |
| 4.1 退火方案 | 第35-36页 |
| 4.2 CuAlO_2薄膜在空气中进行退火处理 | 第36-38页 |
| 4.2.1 空气中 1100 °C 退火对薄膜结构与形貌的影响 | 第36-37页 |
| 4.2.2 空气中 1100 °C 退火对薄膜光、电性能的影响 | 第37-38页 |
| 4.3 CuAlO_2薄膜在高氧压炉中退火处理 | 第38-44页 |
| 4.3.1 高氧压炉中退火对薄膜结构的改善 | 第38-40页 |
| 4.3.2 高氧压炉中退火对薄膜光学性能的影响 | 第40-42页 |
| 4.3.3 高氧压炉中退火对薄膜电学性能的影响 | 第42-44页 |
| 4.4 CuAlO_2薄膜在高氧压炉中不同氧压下退火 | 第44-48页 |
| 4.4.1 不同氧压退火对薄膜电学性能的影响 | 第45-47页 |
| 4.4.2 不同氧压退火对薄膜光学性能的影响 | 第47-48页 |
| 4.5 CuAlO_2薄膜在高氧压炉中不同温度下退火 | 第48-50页 |
| 4.5.1 退火温度对薄膜光学性能的影响 | 第48-49页 |
| 4.5.2 退火温度对薄膜电学性能的影响 | 第49-50页 |
| 4.6 氧分压下生长的薄膜在高氧压炉中退火后实验结果 | 第50-52页 |
| 4.7 本章小结 | 第52-55页 |
| 结论 | 第55-57页 |
| 参考文献 | 第57-63页 |
| 致谢 | 第63页 |
