| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-27页 |
| 1.1 引言 | 第10页 |
| 1.2 新型非易失性存储器 | 第10-15页 |
| 1.3 RRAM的研究概况 | 第15-17页 |
| 1.4 RRAM阻变机制的研究 | 第17-22页 |
| 1.4.1 导电细丝模型 | 第18-19页 |
| 1.4.2 界面势垒机制 | 第19-20页 |
| 1.4.3 陷阱控制的空间电荷限制电流模型 | 第20-21页 |
| 1.4.4 普尔-法兰克效应机制 | 第21-22页 |
| 1.5 ZnO的结构及性质 | 第22-23页 |
| 1.6 阻变存储器研究现状 | 第23-26页 |
| 1.7 本文的选题依据和研究内容 | 第26-27页 |
| 第二章 实验方法 | 第27-35页 |
| 2.1 器件制备方法 | 第27-30页 |
| 2.1.1 磁控溅射 | 第27-28页 |
| 2.1.2 光刻法 | 第28-29页 |
| 2.1.3 电子束蒸发 | 第29-30页 |
| 2.2 器件表征方法 | 第30-33页 |
| 2.2.1 ZnO薄膜厚度的表征 | 第30页 |
| 2.2.2 ZnO材料成分表征 | 第30-31页 |
| 2.2.3 ZnO纳米线形貌表征 | 第31-33页 |
| 2.3 器件的电学性能测试方法 | 第33-34页 |
| 2.3.1 综合物性测试系统 | 第33页 |
| 2.3.2 半导体参数仪 | 第33-34页 |
| 2.4 小结 | 第34-35页 |
| 第三章 Cu/ZnO/Pt阻变存储器的电学性能研究 | 第35-45页 |
| 3.1 引言 | 第35页 |
| 3.2 器件Cu/ZnO/Pt的制备 | 第35-36页 |
| 3.3 器件Cu/ZnO/Pt的前期研究 | 第36-37页 |
| 3.4 Cu/ZnO/Pt阻变存储器阻变性能的研究 | 第37-43页 |
| 3.4.1 Cu/ZnO/Pt器件导电细丝的研究 | 第37-41页 |
| 3.4.2 Cu/ZnO/Pt器件导电细丝的阻变行为研究 | 第41页 |
| 3.4.3 基于Cu/ZnO/Pt器件中ECM和VCM相互切换的研究 | 第41-43页 |
| 3.5 小结 | 第43-45页 |
| 第四章 基于单根ZnO纳米线阻变存储器件的研究 | 第45-55页 |
| 4.1 引言 | 第45页 |
| 4.2 Ag/ZnO NW/Ag器件的制备 | 第45-47页 |
| 4.3 ZnO纳米线材料的表征及分析 | 第47-49页 |
| 4.3.1 ZnO纳米线的透射电镜表征 | 第47-48页 |
| 4.3.2 ZnO纳米线的光致发光光谱 | 第48-49页 |
| 4.3.3 ZnO纳米线XPS分析 | 第49页 |
| 4.4 Ag/ZnO NW/Ag器件的电学性能测试 | 第49-53页 |
| 4.5 小结 | 第53-55页 |
| 第五章 基于银修饰单根ZnO纳米线阻变存储器件的研究 | 第55-65页 |
| 5.1 引言 | 第55页 |
| 5.2 银修饰ZnO纳米线器件的制备 | 第55-56页 |
| 5.3 银修饰ZnO纳米线的表征 | 第56-58页 |
| 5.4 银修饰单根ZnO纳米线器件的阻变性能 | 第58-61页 |
| 5.5 银修饰ZnO纳米线阻变转变机理 | 第61-64页 |
| 5.6 本章小结 | 第64-65页 |
| 第六章 全文总结 | 第65-66页 |
| 参考文献 | 第66-73页 |
| 致谢 | 第73-74页 |
| 攻读硕士学位期间所取得的成果 | 第74页 |
