4通道12位高压抗辐照数模转换器芯片设计
| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 符号对照表 | 第11-12页 |
| 缩略语对照表 | 第12-15页 |
| 第一章 绪论 | 第15-21页 |
| 1.1 课题研究背景及意义 | 第15页 |
| 1.2 数模转换器简介 | 第15-17页 |
| 1.3 抗辐照数模转换器类芯片的发展现状 | 第17-19页 |
| 1.4 论文主要研究内容和论文安排 | 第19-21页 |
| 第二章 抗辐照工艺选取和芯片架构 | 第21-35页 |
| 2.1 抗辐照工艺选取 | 第21-27页 |
| 2.1.1 芯片涉及的辐照损伤机理 | 第21-25页 |
| 2.1.2 抗辐照加固 | 第25-27页 |
| 2.2 芯片架构和主要模块电路 | 第27-35页 |
| 2.2.1 芯片架构 | 第27-29页 |
| 2.2.2 芯片主要模块 | 第29-35页 |
| 第三章 电路设计与仿真 | 第35-67页 |
| 3.1 数字逻辑电路 | 第35-43页 |
| 3.1.1 数字I/O电路 | 第36-38页 |
| 3.1.2 数据存储器电路 | 第38-42页 |
| 3.1.3 接口电路 | 第42-43页 |
| 3.2 电平转换电路 | 第43-50页 |
| 3.2.1 基于CMOS电平转换电路 | 第43-45页 |
| 3.2.2 基于LDMOS电平转移电路 | 第45-50页 |
| 3.3 R-2R解码电路 | 第50-57页 |
| 3.3.1 开关导通电阻匹配 | 第50-52页 |
| 3.3.2 VM电压产生电路 | 第52-53页 |
| 3.3.3 多晶电阻匹配 | 第53-57页 |
| 3.4 运算放大器 | 第57-61页 |
| 3.5 整体电路仿真 | 第61-65页 |
| 3.6 本章小结 | 第65-67页 |
| 第四章 抗辐照版图设计及后仿真 | 第67-83页 |
| 4.1 抗辐照加固方案 | 第67-71页 |
| 4.1.1 总剂量辐射加固方案 | 第67-69页 |
| 4.1.2 CMOS器件抗单粒子版图方面加固方案 | 第69-71页 |
| 4.2 电阻匹配设计 | 第71-74页 |
| 4.2.1 电阻匹配版图设计 | 第71页 |
| 4.2.2 电阻修调电路设计 | 第71-74页 |
| 4.3 版图设计及后仿真 | 第74-79页 |
| 4.3.1 数字逻辑电路版图设计 | 第75-77页 |
| 4.3.2 电平转换模块 | 第77-78页 |
| 4.3.3 OPA模块 | 第78-79页 |
| 4.4 封装和应用 | 第79-81页 |
| 4.4.1 芯片封装 | 第79-81页 |
| 4.4.2 芯片应用方向 | 第81页 |
| 4.5 本章小结 | 第81-83页 |
| 第五章 总结与展望 | 第83-85页 |
| 5.1 总结 | 第83页 |
| 5.2 展望 | 第83-85页 |
| 参考文献 | 第85-89页 |
| 致谢 | 第89-91页 |
| 作者简介 | 第91-92页 |
