| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-11页 |
| 第一章 引言 | 第11-17页 |
| ·薄膜技术的进展 | 第11-12页 |
| ·薄膜技术研究内容 | 第11页 |
| ·掺杂改性或调变结构改性技术 | 第11页 |
| ·复合薄膜 | 第11-12页 |
| ·获得在平衡状态下不存在的物质 | 第12页 |
| ·很受重视的几种薄膜材料 | 第12页 |
| ·薄膜的制备的过程 | 第12-13页 |
| ·膜料的汽化 | 第12页 |
| ·薄膜的形成 | 第12-13页 |
| ·影响薄膜生长和结构的因素 | 第13页 |
| ·对薄膜的一般要求 | 第13页 |
| ·课题立项的必要性及市场需求分析 | 第13-15页 |
| ·相关领域国内外技术现状、发展趋势及现有工作基础 | 第15页 |
| ·薄膜固定电阻器的研制过程的关键技术 | 第15-16页 |
| ·课题完成后所能达到的水平和社会效益分析 | 第16-17页 |
| 第二章 双离子束溅射制备 Ni-Cr 薄膜电阻 | 第17-21页 |
| ·双离子束溅射原理 | 第17-18页 |
| ·双离子束溅射主要过程 | 第18-19页 |
| ·清洗过程 | 第18-19页 |
| ·镀膜过程 | 第19页 |
| ·双离子束溅射制备 Ni-Cr 薄膜电阻 | 第19-21页 |
| 第三章 Ni-Cr 合金薄膜的结构和分析 | 第21-29页 |
| ·Ni-Cr 合金薄膜的表面形貌 | 第21-23页 |
| ·Ni-Cr 合金薄膜热处理后显微结构及电学性能的变化 | 第23-27页 |
| ·Ni-Cr 合金薄膜破坏性物理分析 | 第27-29页 |
| 第四章 Ni-Cr 合金薄膜电阻稳定性分析 | 第29-41页 |
| ·溅射时间对阻值的影响 | 第29-30页 |
| ·自转方式与行星运转方式对阻值均匀性的影响 | 第30-32页 |
| ·自转方式对阻值均匀性的影响 | 第30-31页 |
| ·行星运转方式对阻值均匀性的影响 | 第31-32页 |
| ·电阻温度特性的试验方法 | 第32页 |
| ·热处理对 Ni-Cr 薄膜电阻稳定性的影响 | 第32-36页 |
| ·屏栅电压为700V 的热处理 | 第32-34页 |
| ·屏栅电压为900V 的热处理 | 第34-35页 |
| ·屏栅电压为1100V 的热处理 | 第35-36页 |
| ·表面粗糙度对 Ni-Cr 薄膜电阻稳定性的影响 | 第36-41页 |
| ·表面粗糙度测试 | 第36-38页 |
| ·表面粗糙度对阻值的影响 | 第38-39页 |
| ·粗糙度对TCR 的影响 | 第39-41页 |
| 第五章 光刻法制作 Ni-Cr 合金薄膜电阻 | 第41-46页 |
| ·薄膜电阻的光刻 | 第41-42页 |
| ·薄膜电阻的光刻原理 | 第41页 |
| ·薄膜电阻的光刻方法 | 第41页 |
| ·薄膜电阻的光刻工艺 | 第41-42页 |
| ·薄膜电阻的光刻难点 | 第42页 |
| ·光刻法制作薄膜电阻 | 第42-46页 |
| 第六章 结论 | 第46-47页 |
| 致谢 | 第47-48页 |
| 参考文献 | 第48-50页 |