SiC MOSFET桥式电路串扰问题分析及抑制方法研究
| 致谢 | 第5-6页 |
| 中文摘要 | 第6-7页 |
| ABSTRACT | 第7页 |
| 1 引言 | 第10-16页 |
| 1.1 研究背景与意义 | 第10-12页 |
| 1.2 串扰问题研究现状 | 第12-14页 |
| 1.3 本论文研究内容 | 第14-16页 |
| 2 寄生参数分析及提取 | 第16-26页 |
| 2.1 寄生参数分析 | 第16-17页 |
| 2.2 SiC MOSFET寄生参数提取 | 第17-21页 |
| 2.2.1 SiC MOSFET的寄生电容 | 第17-20页 |
| 2.2.2 SiC MOSFET的寄生电感 | 第20-21页 |
| 2.3 PCB寄生参数提取 | 第21-22页 |
| 2.4 SiC MOSFET的转移特性曲线 | 第22-24页 |
| 2.5 本章小结 | 第24-26页 |
| 3 SiC MOSFET开关过程建模 | 第26-42页 |
| 3.1 开关过程数学模型 | 第26-38页 |
| 3.1.1 开通过程数学模型 | 第27-33页 |
| 3.1.2 关断过程数学模型 | 第33-38页 |
| 3.2 仿真验证 | 第38-40页 |
| 3.3 本章小结 | 第40-42页 |
| 4 SiC MOSFET桥臂串扰问题分析 | 第42-60页 |
| 4.1 桥臂串扰问题原理 | 第42-43页 |
| 4.2 寄生参数对串扰现象的影响 | 第43-46页 |
| 4.3 仿真和实验验证 | 第46-58页 |
| 4.4 本章小结 | 第58-60页 |
| 5 串扰问题抑制方法研究 | 第60-72页 |
| 5.1 抑制方法分类 | 第60页 |
| 5.2 新型抑制方法研究 | 第60-65页 |
| 5.3 仿真验证 | 第65-67页 |
| 5.4 实验验证 | 第67-70页 |
| 5.5 本章小结 | 第70-72页 |
| 6 结论 | 第72-74页 |
| 6.1 本课题工作总结 | 第72页 |
| 6.2 本课题工作展望 | 第72-74页 |
| 参考文献 | 第74-78页 |
| 作者简历 | 第78-82页 |
| 学位论文数据集 | 第82页 |
