摘要 | 第6-8页 |
ABSTRACT | 第8-9页 |
第一章 绪论 | 第13-47页 |
1.1 光催化研究概述 | 第13-21页 |
1.1.1 光催化的发展历程 | 第14-17页 |
1.1.2 半导体光催化机理 | 第17-19页 |
1.1.3 纳米光催化剂的应用 | 第19-21页 |
1.2 纳米TiO_2与g-C_3N_4光催化剂 | 第21-32页 |
1.2.1 纳米TiO_2的简介、理化性质与制备方法 | 第21-26页 |
1.2.2 g-C_3N_4的简介、理化性质与制备方法 | 第26-32页 |
1.3 光催化剂的主要改性与强化手段 | 第32-45页 |
1.3.1 形貌控制 | 第32-34页 |
1.3.2 晶面控制 | 第34-35页 |
1.3.3 贵金属负载 | 第35-37页 |
1.3.4 金属阳离子掺杂 | 第37-40页 |
1.3.5 非金属阴离子掺杂 | 第40-42页 |
1.3.6 复合半导体与其他材料 | 第42-45页 |
1.4 本论文的主要研究内容与创新点 | 第45-47页 |
第二章 Mo、S掺杂的TiO_2:Gd介孔纳米球 | 第47-69页 |
2.1 引言 | 第47-48页 |
2.2 实验部分 | 第48-51页 |
2.2.1 化学试剂 | 第48页 |
2.2.2 Gd掺杂的乙二醇钛前驱体纳米球的合成 | 第48-49页 |
2.2.3 Mo、S掺杂的TiO_2:Gd介孔纳米球的合成 | 第49页 |
2.2.4 光催化性能表征 | 第49-50页 |
2.2.5 仪器表征 | 第50-51页 |
2.3 结果与讨论 | 第51-67页 |
2.3.1 前驱体合成 | 第51-52页 |
2.3.2 形貌与粒径分析 | 第52-54页 |
2.3.3 水热反应液分析 | 第54-56页 |
2.3.4 元素定性与定量分析 | 第56-58页 |
2.3.5 比表面积分析 | 第58-60页 |
2.3.6 X射线衍射分析 | 第60-61页 |
2.3.7 拉曼光谱分析 | 第61-62页 |
2.3.8 X射线光电子能谱分析 | 第62-64页 |
2.3.9 紫外及可见光漫反射光谱分析 | 第64-65页 |
2.3.10 光催化性能及循环稳定性 | 第65-66页 |
2.3.11 材料合成与光催化机理分析 | 第66-67页 |
2.4 本章小结 | 第67-69页 |
第三章 TiO_2纳米球的真空加热改性后处理 | 第69-81页 |
3.1 引言 | 第69-70页 |
3.2 实验部分 | 第70-71页 |
3.2.1 真空加热改性后处理 | 第70页 |
3.2.2 光催化性能表征 | 第70-71页 |
3.2.3 仪器表征 | 第71页 |
3.3 结果与讨论 | 第71-80页 |
3.3.1 真空加热后处理 | 第71-74页 |
3.3.2 拉曼光谱分析 | 第74-75页 |
3.3.3 X射线光电子能谱分析 | 第75-77页 |
3.3.4 紫外及可见光漫反射光谱分析 | 第77页 |
3.3.5 光催化性能及循环稳定性 | 第77-80页 |
3.3.6 材料合成与光催化机理分析 | 第80页 |
3.4 本章小结 | 第80-81页 |
第四章 g-C_3N_4与两种改性后处理方式:真空加热和电子束辐照 | 第81-98页 |
4.1 引言 | 第81-82页 |
4.2 实验部分 | 第82-85页 |
4.2.1 化学试剂 | 第82页 |
4.2.2 典型g-C_3N_4的合成 | 第82-83页 |
4.2.3 两种改性后处理方法 | 第83页 |
4.2.4 光催化性能表征 | 第83-84页 |
4.2.5 仪器表征 | 第84-85页 |
4.3 结果与讨论 | 第85-97页 |
4.3.1 形貌与比表面积分析 | 第85-86页 |
4.3.2 两种改性后处理 | 第86-87页 |
4.3.3 X射线衍射分析 | 第87-88页 |
4.3.4 红外及拉曼光谱分析 | 第88-90页 |
4.3.5 紫外及可见光漫反射光谱分析 | 第90-91页 |
4.3.6 光致发光光谱分析 | 第91-92页 |
4.3.7 X射线光电子能谱与价带谱分析 | 第92-95页 |
4.3.8 光催化性能及循环稳定性 | 第95-96页 |
4.3.9 材料合成与光催化机理分析 | 第96-97页 |
4.4 本章小结 | 第97-98页 |
第五章 论文结论与展望 | 第98-100页 |
5.1 论文结论 | 第98-99页 |
5.2 论文展望 | 第99-100页 |
参考文献 | 第100-127页 |
作者在攻读博士学位期间公开发表的论文与专利 | 第127-128页 |
致谢 | 第128-129页 |