| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5页 |
| 第1章 绪论 | 第8-13页 |
| 1.1 课题背景及研究的意义 | 第8-10页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第10-12页 |
| 1.2.1. 国外研究现状 | 第10-11页 |
| 1.2.2. 国内研究现状 | 第11-12页 |
| 1.3 本文主要研究内容 | 第12-13页 |
| 第2章 空间辐射环境及其效应 | 第13-31页 |
| 2.1 空间辐射环境 | 第13-18页 |
| 2.1.1. 地球俘获带 | 第13-16页 |
| 2.1.2. 太阳宇宙射线 | 第16页 |
| 2.1.3. 太阳风 | 第16-17页 |
| 2.1.4. 银河宇宙射线 | 第17页 |
| 2.1.5. 空间核爆辐射环境 | 第17-18页 |
| 2.2 卫星轨道及辐射环境空间分布 | 第18-20页 |
| 2.2.1. 卫星轨道 | 第18页 |
| 2.2.2. 卫星轨道的辐射环境 | 第18-20页 |
| 2.3 基本损伤机理 | 第20-21页 |
| 2.3.1. 总剂量效应 | 第20页 |
| 2.3.2. 位移损伤效应 | 第20-21页 |
| 2.3.3. 单粒子效应 | 第21页 |
| 2.4 MOSFET总剂量效应伤机理 | 第21-28页 |
| 2.4.1. MOSFET工作原理 | 第21-24页 |
| 2.4.2. 低集成度MOSFET总剂量效应损伤机理 | 第24-28页 |
| 2.4.3. 深亚微米MOSFET损伤机理 | 第28页 |
| 2.5 建模及仿真技术 | 第28-29页 |
| 2.6 本章小结 | 第29-31页 |
| 第3章 深亚微米工艺的MOSFET器件和电路仿真 | 第31-52页 |
| 3.1 引言 | 第31-33页 |
| 3.2 基于TCAD的单管仿真研究 | 第33-41页 |
| 3.2.1. TCAD仿真原理 | 第33页 |
| 3.2.2. 深亚微米工艺MOSFET器件模型 | 第33-36页 |
| 3.2.3. 深亚微米工艺MOSFET总剂量效应仿真 | 第36-41页 |
| 3.3 NMOSFET总剂量效应寄生晶体管模型仿真 | 第41-51页 |
| 3.3.1. 数据拟合的方式获取辐射模型 | 第41-45页 |
| 3.3.2. 理论计算的方式获取辐射模型 | 第45-51页 |
| 3.4 本章小结 | 第51-52页 |
| 第4章 DSP总剂量效应的电路级仿真 | 第52-75页 |
| 4.1 引言 | 第52页 |
| 4.2 电路级仿真中的辐射模型注入 | 第52-55页 |
| 4.2.1. MOSFET器件模型提取 | 第52-54页 |
| 4.2.2. 电路级仿真中辐射模型的注入 | 第54-55页 |
| 4.3 CMOS反相器的电路级仿真研究 | 第55-63页 |
| 4.3.1. CMOS反相器电路的总剂量效应失效表征 | 第55-56页 |
| 4.3.2. 辐射条件下CMOS反相器的直流特性 | 第56-60页 |
| 4.3.3. 辐射条件下CMOS反相器的瞬态特性 | 第60-63页 |
| 4.4 SRAM存储单元总剂量效应的电路级仿真研究 | 第63-67页 |
| 4.4.1. SRAM电路工作原理 | 第63-64页 |
| 4.4.2. SRAM电路总剂量效应失效分析 | 第64-67页 |
| 4.5 总剂量效应对全加器电路的影响仿真研究 | 第67-70页 |
| 4.5.1. 一位全加器电路 | 第67-68页 |
| 4.5.2. 一位全加器电路的总剂量敏感性仿真研究 | 第68-70页 |
| 4.6 总剂量效应对寄存器单元电路影响的仿真研究 | 第70-73页 |
| 4.6.1. CMOS传输门电路分析 | 第70-71页 |
| 4.6.2. 寄存器电路分析 | 第71-73页 |
| 4.7 本章小结 | 第73-75页 |
| 结论 | 第75-77页 |
| 参考文献 | 第77-81页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文及其它成果 | 第81-83页 |
| 致谢 | 第83页 |
