| 摘要 | 第3-5页 |
| abstract | 第5-6页 |
| 1 绪论 | 第9-17页 |
| 1.1 研究背景及意义 | 第9-10页 |
| 1.2 4H-SiC GTO晶闸管国内外研究进展 | 第10-15页 |
| 1.3 4H-SiC GTO晶闸管面临的问题 | 第15页 |
| 1.4 论文的主要研究内容及论文结构安排 | 第15-17页 |
| 2 4H-SiC GTO晶闸管的结构及工作原理 | 第17-28页 |
| 2.1 4H-SiC材料特性 | 第17-18页 |
| 2.2 4H-SiC GTO晶闸管的结构特点 | 第18-19页 |
| 2.3 4H-SiC GTO晶闸管的工作机理 | 第19-22页 |
| 2.4 4H-SiC GTO晶闸管结构参数特性分析 | 第22-26页 |
| 2.4.1 长基区 | 第23-24页 |
| 2.4.2 n~-短基区 | 第24-26页 |
| 2.4.3 p~+缓冲层 | 第26页 |
| 2.4.4 p~+发射区 | 第26页 |
| 2.5 本章小结 | 第26-28页 |
| 3 4H-SiC GTO晶闸管结构设计 | 第28-38页 |
| 3.1 物理模型选取 | 第28-29页 |
| 3.2 结构设计 | 第29-37页 |
| 3.2.1 p~-长基区 | 第29-31页 |
| 3.2.2 n~-短基区 | 第31-33页 |
| 3.2.3 p~+缓冲层 | 第33-34页 |
| 3.2.4 p~+阳极发射区 | 第34-37页 |
| 3.3 本章小结 | 第37-38页 |
| 4 4H-SiC GTO晶闸管的主要特性研究 | 第38-55页 |
| 4.1 静态特性 | 第38-40页 |
| 4.1.1 阻断特性 | 第38页 |
| 4.1.2 导通特性 | 第38-40页 |
| 4.2 动态特性 | 第40-49页 |
| 4.2.1 开通过程 | 第40-47页 |
| 4.2.2 关断特性 | 第47-49页 |
| 4.3 温度对 4H-SiC GTO晶闸管的影响 | 第49-53页 |
| 4.3.1 不同温度下的阻断特性 | 第49-51页 |
| 4.3.2 不同温度下的通态特性 | 第51-52页 |
| 4.3.3 不同温度下的开关特性 | 第52-53页 |
| 4.4 寿命对导通特性的影响 | 第53-54页 |
| 4.5 本章小结 | 第54-55页 |
| 5 结论及展望 | 第55-57页 |
| 5.1 结论 | 第55页 |
| 5.2 展望 | 第55-57页 |
| 致谢 | 第57-59页 |
| 参考文献 | 第59-63页 |
| 硕士学习期间所发表的论文 | 第63页 |