| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-24页 |
| 1.1 引言 | 第9-10页 |
| 1.2 磁致伸缩非晶材料概述 | 第10-19页 |
| 1.2.1 磁致伸缩产生的机制与本构方程 | 第10-11页 |
| 1.2.2 非晶丝的制备方法 | 第11-12页 |
| 1.2.3 磁致伸缩非晶材料磁畴结构对基本磁性物理参量的影响 | 第12-14页 |
| 1.2.4 磁畴结构的检测方法 | 第14-15页 |
| 1.2.5 磁致伸缩非晶材料的磁畴结构研究现状 | 第15-19页 |
| 1.3 非晶丝的 GMI 效应 | 第19-21页 |
| 1.3.1 非晶丝的 GMI 效应简述 | 第19-20页 |
| 1.3.2 非晶丝的调制工艺处理 | 第20-21页 |
| 1.4 非晶丝的磁畴结构与 GMI 效应联系 | 第21-22页 |
| 1.4.1 磁畴结构对 GMI 效应的影响 | 第21页 |
| 1.4.2 磁畴调控对 GMI 效应的影响 | 第21-22页 |
| 1.5 本文的研究目的及研究内容 | 第22-24页 |
| 第2章 材料制备与实验方法 | 第24-30页 |
| 2.1 材料成分的选择 | 第24-25页 |
| 2.2 实验材料的制备 | 第25-26页 |
| 2.3 非晶丝的电镀试验 | 第26-27页 |
| 2.4 非晶丝的结构检测与分析 | 第27-30页 |
| 2.4.1 X 射线衍射分析 | 第27页 |
| 2.4.2 DTA 热分析 | 第27页 |
| 2.4.3 巨磁阻抗性能分析 | 第27-28页 |
| 2.4.4 扫描电子显微分析 | 第28页 |
| 2.4.5 磁畴结构分析 | 第28-30页 |
| 第3章 电镀与低温介质电流调制对非晶丝磁畴结构与 GMI 效应的影响 | 第30-53页 |
| 3.1 非晶丝结构表征 | 第30-32页 |
| 3.2 电镀对不同磁致伸缩非晶丝磁畴结构及 GMI 效应的影响 | 第32-43页 |
| 3.2.1 电镀 Ni 对非晶丝的磁畴结构及 GMI 效应影响 | 第33-40页 |
| 3.2.2 电镀 Cu 对非晶丝的磁畴结构影响 | 第40-43页 |
| 3.3 低温介质电流调制对不同磁致伸缩非晶丝磁畴结构及 GMI 效应的影响35 | 第43-50页 |
| 3.3.1 低温介质电流调制工艺 | 第43-44页 |
| 3.3.2 低温介质电流调制对非晶丝磁畴结构影响 | 第44-47页 |
| 3.3.3 低温介质电流调制对非晶丝 GMI 效应影响 | 第47-50页 |
| 3.4 调制处理下的磁畴结构与 GMI 效应对应关系 | 第50-51页 |
| 3.5 本章小结 | 第51-53页 |
| 第4章 应力状态对非晶丝磁畴结构与 GMI 效应的影响 | 第53-68页 |
| 4.1 拉应力对不同磁致伸缩非晶丝的磁畴结构与 GMI 效应影响 | 第53-60页 |
| 4.1.1 拉应力的实现 | 第53-54页 |
| 4.1.2 拉应力对不同磁致伸缩非晶丝的磁畴结构影响 | 第54-59页 |
| 4.1.3 拉应力对不同磁致伸缩非晶丝的 GMI 效应影响 | 第59-60页 |
| 4.2 扭转应力对不同磁致伸缩非晶丝的磁畴结构与 GMI 效应影响 | 第60-65页 |
| 4.2.1 扭转应力对不同磁致伸缩非晶丝的磁畴结构影响 | 第60-64页 |
| 4.2.2 扭转应力对不同磁致伸缩非晶丝的 GMI 效应影响 | 第64-65页 |
| 4.3 拉伸与扭转应力状态下的磁畴结构与 GMI 效应对应关系 | 第65-67页 |
| 4.4 本章小结 | 第67-68页 |
| 结论 | 第68-69页 |
| 参考文献 | 第69-75页 |
| 致谢 | 第75页 |
