| 摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-19页 |
| 1.1 引言 | 第9-10页 |
| 1.2 高k栅介质材料相关基础 | 第10-13页 |
| 1.2.1 MOSFET的工作原理简述 | 第10-12页 |
| 1.2.2 等效氧化层厚度 | 第12-13页 |
| 1.3 Zr基高k栅介质材料 | 第13-15页 |
| 1.3.1 ZrO_2的基本性质 | 第13-14页 |
| 1.3.2 Zr基材料在CMOS器件中的应用 | 第14-15页 |
| 1.4 TFT工作原理及关键性能参数 | 第15-17页 |
| 1.4.1 TFT工作原理 | 第15-16页 |
| 1.4.2 关键性能参数 | 第16-17页 |
| 1.5 溶液法制备TFT现状 | 第17-18页 |
| 1.6 本文研究内容 | 第18-19页 |
| 第二章 样品制备方法与表征手段 | 第19-33页 |
| 2.1 制备方法 | 第19-28页 |
| 2.1.1 溶胶凝胶法原理 | 第19-21页 |
| 2.1.2 旋涂法制备高k及沟道层 | 第21-23页 |
| 2.1.3 直流磁控溅射生长铝电板 | 第23-24页 |
| 2.1.4 真空热蒸发生长铝电极 | 第24-26页 |
| 2.1.5 样品处理仪器 | 第26-28页 |
| 2.2 表征手段 | 第28-33页 |
| 2.2.1 XRD测试 | 第28页 |
| 2.2.2 椭圆偏振光谱仪 | 第28-30页 |
| 2.2.3 紫外-可见光吸收光谱 | 第30页 |
| 2.2.4 X射线能谱仪 | 第30-31页 |
| 2.2.5 X射线光电子能谱 | 第31-32页 |
| 2.2.6 半导体测试仪 | 第32-33页 |
| 第三章 退火温度依赖的氧化锆薄膜的结构、光学及电学性能 | 第33-45页 |
| 3.1 富氧ZrO_2栅介质薄膜的制备 | 第33-34页 |
| 3.1.1 溶液配制 | 第33页 |
| 3.1.2 样品制备 | 第33-34页 |
| 3.2 结果与讨论 | 第34-44页 |
| 3.2.1 XRD测试 | 第34-35页 |
| 3.2.2 椭圆偏振光谱仪测试 | 第35-38页 |
| 3.2.3 紫外-可见分光光度计测试 | 第38-39页 |
| 3.2.4 Al/ZrO_2/SiMOS结构的电学性能测试 | 第39-44页 |
| 3.3 本章小结 | 第44-45页 |
| 第四章 硼元素掺杂氧化锆薄膜的结构、光学及电学性能研究 | 第45-56页 |
| 4.1 B掺杂ZrO_2薄膜的制备 | 第45-46页 |
| 4.1.1 溶液配制 | 第45页 |
| 4.1.2 样品制备 | 第45-46页 |
| 4.2 结果与讨论 | 第46-55页 |
| 4.2.1 结构分析 | 第46-47页 |
| 4.2.2 光学表征 | 第47-50页 |
| 4.2.3 电学特性分析 | 第50-55页 |
| 4.3 本章小结 | 第55-56页 |
| 第五章 ZrTiO_x薄膜的结构、光学及电学性能研究 | 第56-68页 |
| 5.1 ZrTiO_x栅介质薄膜的制备 | 第56-57页 |
| 5.1.1 溶液配制 | 第56页 |
| 5.1.2 样品制备 | 第56-57页 |
| 5.2 结果与讨论 | 第57-67页 |
| 5.2.1 结构分析 | 第57-59页 |
| 5.2.2 光学分析 | 第59-62页 |
| 5.2.3 电学分析 | 第62-67页 |
| 5.3 本章小结 | 第67-68页 |
| 第六章 钆元素掺杂对Gd:ZrO_2/Si界面调控及电学性能的影响 | 第68-79页 |
| 6.1 Gd掺杂ZrO_2栅介质薄膜的制备 | 第68-69页 |
| 6.1.1 溶液配制 | 第68页 |
| 6.1.2 样品制备 | 第68-69页 |
| 6.2 结果与分析 | 第69-78页 |
| 6.2.1 界面性质分析 | 第69-72页 |
| 6.2.2 能带调制分析 | 第72-75页 |
| 6.2.3 电学分析 | 第75-78页 |
| 6.3 本章小结 | 第78-79页 |
| 第七章 金属氧化物薄膜晶体管的制备及性能研究 | 第79-100页 |
| 7.1 In_2O_3薄膜晶体管 | 第79-87页 |
| 7.1.1 晶体管制备 | 第79-80页 |
| 7.1.2 结果与分析 | 第80-87页 |
| 7.2 IZO薄膜晶体管 | 第87-95页 |
| 7.2.1 晶体管制备 | 第88-89页 |
| 7.2.2 结果与分析 | 第89-95页 |
| 7.3 HfInZnO薄膜晶体管 | 第95-99页 |
| 7.3.1 晶体管制备 | 第96-97页 |
| 7.3.2 结果与分析 | 第97-99页 |
| 7.4 本章小结 | 第99-100页 |
| 第八章 总结及展望 | 第100-102页 |
| 8.1 总结 | 第100-101页 |
| 8.2 展望 | 第101-102页 |
| 参考文献 | 第102-114页 |
| 致谢 | 第114-115页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 | 第115-118页 |
| 攻读学位期间参加的学术会议 | 第118页 |
