| 致谢 | 第5-6页 |
| 摘要 | 第6-8页 |
| Abstract | 第8-9页 |
| 第一章 绪论 | 第11-27页 |
| 1.1 课题的研究目的和意义 | 第11-13页 |
| 1.2 研究背景 | 第13-27页 |
| 1.2.1 金属/半导体纳米线的电学和光学特性 | 第13-18页 |
| 1.2.2 高性能纳米线基复合结构LED研究进展 | 第18-25页 |
| 1.2.3 本文的主要研究工作 | 第25-27页 |
| 第二章 掺杂半导体纳米线和金属Ag纳米线的生长 | 第27-33页 |
| 2.1 In掺杂CdS纳米带的制备和光学性质表征 | 第27-30页 |
| 2.2 Ag纳米线的制备及电学、光学性质表征 | 第30-33页 |
| 第三章 Ag纳米线/p型GaN肖特基结紫外LED | 第33-46页 |
| 3.1 Ag纳米线/p型GaN肖特基LED制备 | 第33-34页 |
| 3.2 器件电学和光学性能表征 | 第34-40页 |
| 3.3 Ag纳米线/p-GaN肖特基LED辐射复合过程分析 | 第40-44页 |
| 3.4 本章小结 | 第44-46页 |
| 第四章 半导体纳米带/p型GaN p-n结多色LED | 第46-56页 |
| 4.1 In掺杂CdS纳米带/p型GaN薄膜多色LED制备 | 第46-47页 |
| 4.2 In掺杂CdS纳米带/p型GaN薄膜多色LED电学和光学性质表征 | 第47-52页 |
| 4.3 压电光电子学效应增强器件发光的理论研究 | 第52-54页 |
| 4.4 本章小结 | 第54-56页 |
| 第五章 总结与展望 | 第56-58页 |
| 参考文献 | 第58-61页 |
| 作者简历 | 第61页 |
