摘要 | 第4-5页 |
ABSTRACT | 第5页 |
第一章 绪论 | 第9-17页 |
1.1 电子分子散射的研究意义 | 第9-10页 |
1.2 R矩阵电子与分子散射计算方法综述 | 第10-11页 |
1.3 单中心展开的量子散射计算方法综述 | 第11-14页 |
1.4 SCOP电子分子散射计算方法 | 第14-17页 |
第二章 电子分子散射的R矩阵理论及对NH_2CN分子的研究 | 第17-43页 |
2.1 R矩阵理论介绍 | 第17-30页 |
2.1.1 R矩阵的基本方程式 | 第17-20页 |
2.1.2 内区 | 第20-22页 |
2.1.3 散射模型 | 第22-25页 |
2.1.4 边界条件 | 第25-26页 |
2.1.5 外区 | 第26-28页 |
2.1.6 共振态 | 第28-30页 |
2.2 NH_2CN分子的低能电子散射的动力学研究 | 第30-42页 |
2.2.1 研究背景 | 第30-31页 |
2.2.2 相关数据选取介绍 | 第31-33页 |
2.2.3 散射模型 | 第33-34页 |
2.2.4 结果分析 | 第34-39页 |
2.2.5 贴附电子解离 | 第39-40页 |
2.2.6 微分散射截面分析 | 第40-42页 |
2.3 总结 | 第42-43页 |
第三章 单中心展开低能电子散射动力学研究 | 第43-65页 |
3.1 SCElib方法的理论 | 第43-50页 |
3.1.1 SCElib束缚态波函数 | 第43-45页 |
3.1.2 SCElib单电子密度 | 第45-46页 |
3.1.3 SCElib静态势 | 第46页 |
3.1.4 SCElib中的VCP极化势 | 第46-47页 |
3.1.5 SCElib中的VCPFT极化势 | 第47-48页 |
3.1.6 极化势的渐近修正 | 第48-50页 |
3.2 SCElib项目的介绍与流程 | 第50-55页 |
3.2.1 SCElib系列版本说明 | 第50-51页 |
3.2.2 SCElib并行版本说明 | 第51-52页 |
3.2.3 SCElib数据输入 | 第52-54页 |
3.2.4 SCElib输出数据 | 第54-55页 |
3.3 VOLSCAT程序接口的介绍与流程 | 第55-59页 |
3.3.1 VOLSCAT程序说明 | 第55-56页 |
3.3.2 VOLSCAT程序理论过程 | 第56-57页 |
3.3.3 VOLSCAT部分数据输入 | 第57-58页 |
3.3.4 VOLSCAT输出数据 | 第58-59页 |
3.4 电子与NH_2CN分子碰撞的动力学研究 | 第59-63页 |
3.5 小结 | 第63-65页 |
总结及展望 | 第65-67页 |
参考文献 | 第67-75页 |
致谢 | 第75-77页 |
攻读学位期间发表的学术论文目录 | 第77-78页 |