| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-21页 |
| 1.1 引言 | 第9页 |
| 1.2 膜基界面结合强度研究现状 | 第9-20页 |
| 1.2.1 膜基结合强度的表征 | 第9-10页 |
| 1.2.2 膜基界面结合机理 | 第10-11页 |
| 1.2.3 膜基结合强度的影响因素 | 第11-16页 |
| 1.2.4 膜基结合强度的检测方法 | 第16-20页 |
| 1.3 本课题研究意义和主要研究内容 | 第20-21页 |
| 1.3.1 研究意义 | 第20页 |
| 1.3.2 主要研究内容 | 第20-21页 |
| 第二章 含有过渡层的PET基SiO_2薄膜的设计与制备 | 第21-31页 |
| 2.1 PET基SiO_2薄膜过渡层的设计 | 第21-23页 |
| 2.1.1 过渡层的设计目的 | 第21页 |
| 2.1.2 过渡层材料的设计原则 | 第21-22页 |
| 2.1.3 过渡层的设计方法 | 第22-23页 |
| 2.2 含有过渡层的PET基SiO_2薄膜的制备与性能表征 | 第23-30页 |
| 2.2.1 实验设备 | 第23-25页 |
| 2.2.2 实验材料 | 第25页 |
| 2.2.3 制备流程 | 第25-27页 |
| 2.2.4 性能表征 | 第27-30页 |
| 2.3 本章小结 | 第30-31页 |
| 第三章 过渡层制备工艺参数对SiO_2/MgO/PET复合膜结合强度的影响 | 第31-44页 |
| 3.1 过渡层材料的影响 | 第31-33页 |
| 3.2 过渡层层数的影响 | 第33-34页 |
| 3.3 过渡层制备工艺参数的影响 | 第34-39页 |
| 3.3.1 射频功率 | 第35-36页 |
| 3.3.2 溅射时间 | 第36-37页 |
| 3.3.3 氩气流量 | 第37-38页 |
| 3.3.4 本底真空度 | 第38-39页 |
| 3.4 过渡层制备工艺参数优化 | 第39-43页 |
| 3.4.1 正交实验设定 | 第40页 |
| 3.4.2 正交实验结果处理 | 第40-43页 |
| 3.4.3 制备参数的验证 | 第43页 |
| 3.5 本章小结 | 第43-44页 |
| 第四章 过渡层后处理工艺参数对SiO_2/MgO/PET复合膜结合强度的影响 | 第44-55页 |
| 4.1 过渡层后处理的影响 | 第44-46页 |
| 4.1.1 等离子体表面改性的应用 | 第44-45页 |
| 4.1.2 过渡层后处理的影响 | 第45-46页 |
| 4.2 过渡层后处理工艺参数的影响 | 第46-50页 |
| 4.2.1 本底真空度 | 第46-47页 |
| 4.2.2 溅射时间 | 第47-48页 |
| 4.2.3 射频功率 | 第48-49页 |
| 4.2.4 氩气流量 | 第49-50页 |
| 4.3 过渡层后处理工艺参数优化 | 第50-54页 |
| 4.3.1 正交实验设定 | 第50-51页 |
| 4.3.2 正交实验结果处理 | 第51-53页 |
| 4.3.3 后处理参数的验证 | 第53-54页 |
| 4.4 本章小结 | 第54-55页 |
| 第五章 结论 | 第55-57页 |
| 参考文献 | 第57-63页 |
| 附录 | 第63-64页 |
| 致谢 | 第64页 |
