| 摘要 | 第6-8页 |
| Abstract | 第8-9页 |
| 第一章 绪论 | 第12-27页 |
| 1.1 引言 | 第12-13页 |
| 1.2 常见的纳米加工技术及其挑战 | 第13-21页 |
| 1.2.1 湿法刻蚀 | 第13-15页 |
| 1.2.2 光刻 | 第15-16页 |
| 1.2.3 纳米压印 | 第16-17页 |
| 1.2.4 高能束加工 | 第17-19页 |
| 1.2.5 扫描探针加工 | 第19-21页 |
| 1.3 摩擦诱导纳米加工 | 第21-25页 |
| 1.3.1 摩擦诱导直接加工 | 第21-23页 |
| 1.3.2 摩擦诱导选择性刻蚀加工 | 第23-25页 |
| 1.4 选题意义及研究内容 | 第25-27页 |
| 1.4.1 选题意义 | 第26页 |
| 1.4.2 课题的研究内容 | 第26-27页 |
| 第二章 实验材料和方法 | 第27-35页 |
| 2.1 实验材料 | 第27-28页 |
| 2.2 实验设备 | 第28-32页 |
| 2.2.1 原子力显微镜 | 第28-30页 |
| 2.2.2 多点接触微纳米级加工设备 | 第30页 |
| 2.2.3 原位纳米力学测试系统 | 第30-31页 |
| 2.2.4 接触角视频测量仪 | 第31-32页 |
| 2.3 实验方法 | 第32-34页 |
| 2.3.1 摩擦诱导选择性刻蚀加工 | 第32-33页 |
| 2.3.2 压痕诱导选择性刻蚀加工 | 第33-34页 |
| 2.4 X-射线光电子能谱及化学成分表征 | 第34-35页 |
| 第三章 不同温度下单晶硅表面摩擦诱导选择性刻蚀的规律 | 第35-46页 |
| 3.1 刻蚀温度对单晶硅表面凸结构高度的影响 | 第35-37页 |
| 3.2 刻蚀时间对单晶硅表面凸结构高度的影响 | 第37-39页 |
| 3.3 刻蚀温度对单晶硅表面性能的影响 | 第39-44页 |
| 3.3.1 刻蚀温度对单晶硅表面粗糙度的影响 | 第39-41页 |
| 3.3.2 刻蚀温度对单晶硅表面亲疏水性的影响 | 第41-43页 |
| 3.3.3 刻蚀温度对单晶硅表面微观机械性能的影响 | 第43-44页 |
| 3.4 本章小结 | 第44-46页 |
| 第四章 温度对单晶硅表面摩擦诱导选择性刻蚀的影响机理 | 第46-52页 |
| 4.1 单晶硅表面摩擦诱导选择性刻蚀的掩膜作用机理 | 第46-47页 |
| 4.2 刻蚀温度对单晶硅表面摩擦诱导选择性刻蚀的作用机制 | 第47-50页 |
| 4.2.1 基于阿累尼乌斯方程的化学动力学分析 | 第47-49页 |
| 4.2.2 刻蚀温度对单晶硅表面选择性刻蚀速率的影响 | 第49-50页 |
| 4.3 不同刻蚀温度下单晶硅表面化学成分的表征 | 第50-51页 |
| 4.4 本章小结 | 第51-52页 |
| 第五章 摩擦诱导选择性刻蚀加工方法的应用探索—压痕诱导选择性刻蚀 | 第52-58页 |
| 5.1 加工规律 | 第52-54页 |
| 5.2 加工机制 | 第54-56页 |
| 5.3 多针尖阵列的加工 | 第56-57页 |
| 5.4 本章小结 | 第57-58页 |
| 结论 | 第58-60页 |
| 致谢 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-66页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文及科研成果 | 第66-67页 |
