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Cu基半导体掺杂改性g-C3N4的研究

摘要第5-7页
Abstract第7-8页
第1章 引言第14-42页
    1.1 g-C_3N_4研究背景与意义第14-18页
    1.2 g-C_3N_4的改性第18-24页
        1.2.1 非金属掺杂改性第18-19页
        1.2.2 金属掺杂第19-20页
        1.2.3 表面修饰改性第20-21页
        1.2.4 共聚合改性第21-22页
        1.2.5 纳米化改性第22页
        1.2.6 复合改性第22-24页
    1.3 Cu基纳米材料简介第24-32页
        1.3.1 CuO纳米材料第24-26页
        1.3.2 Cu_2O纳米材料第26-28页
        1.3.3 CuSe纳米材料第28-29页
        1.3.4 Cu_2S纳米材料第29-30页
        1.3.5 CuS纳米材料第30-32页
    1.4 Cu基纳米复合材料第32-39页
        1.4.1 CuO纳米材料复合材料的制备及应用第32-33页
        1.4.2 Cu_2O纳米材料复合材料的制备及应用第33-34页
        1.4.3 CuSe纳米材料复合材料的制备及应用第34-35页
        1.4.4 Cu_2S纳米材料复合材料的制备及应用第35-36页
        1.4.5 CuS纳米材料复合材料的制备及应用第36页
        1.4.6 Cu基本纳米材料改性g-C_3N_4的制备及应用第36-39页
    1.5 本文选题意义及研究内容第39-42页
第2章 CuS纳米片/g-C_3N_4的制备及其光催化性能研究第42-70页
    2.1 引言第42-43页
    2.2 实验仪器及试剂第43-45页
        2.2.1 实验仪器第43-44页
        2.2.2 实验试剂第44-45页
    2.3 实验方法第45-46页
        2.3.1 g-C_3N_4的制备第45页
        2.3.2 CuS纳米片/g-C_3N_4复合物的制备及表征第45-46页
        2.3.3 光催化降解实验及分析第46页
    2.4 CuS纳米片/g-C_3N_4复合物的表征第46-58页
        2.4.1 TEM和EDS表征第46-47页
        2.4.2 XRD表征第47-48页
        2.4.3 Raman表征第48-49页
        2.4.4 BET和孔径分布分析第49-51页
        2.4.5 XPS分析第51-52页
        2.4.6 光吸收边带及能级分析第52-53页
        2.4.7 荧光分析第53-54页
        2.4.8 光电流响应分析第54-55页
        2.4.9 铜源、配体和硫源对CuS形貌的影响第55-58页
    2.5 可见光下光催化剂对罗丹明B的降解第58-68页
        2.5.1 CuS纳米片/g-C_3N_4,CuS片和g-C_3N_4对RhB降解的对比第58-59页
        2.5.2 催化剂初始用量的影响第59-61页
        2.5.3 CuS纳米片负载量的影响第61-62页
        2.5.4 H_2O_2用量的影响第62-63页
        2.5.5 pH的影响第63-64页
        2.5.6 光照的影响第64-65页
        2.5.7 活性物种的检测第65-67页
        2.5.8 催化剂循环使用实验第67页
        2.5.9 其他污染物的降解第67-68页
    2.6 本章小结第68-70页
第3章 CuS纳米管/g-C_3N_4的制备及其光催化性能研究第70-84页
    3.1 引言第70-71页
    3.2 实验仪器及试剂第71-72页
        3.2.1 实验仪器第71页
        3.2.2 实验试剂第71-72页
    3.3 实验方法第72-73页
        3.3.1 g-C_3N_4的制备第72页
        3.3.2 CuS纳米管/g-C_3N_4的制备及表征第72页
        3.3.3 光催化降解实验及分析第72-73页
    3.4 CuS纳米管/g-C_3N_4复合物的表征第73-77页
        3.4.1 TEM表征第73页
        3.4.2 XRD表征第73-74页
        3.4.3 光吸收边带及能级分析第74-75页
        3.4.4 荧光分析第75-76页
        3.4.5 光电流响应分析第76-77页
    3.5 合成工艺的探索第77-81页
        3.5.1 碱源的影响第77-78页
        3.5.2 g-C_3N_4加入顺序的影响第78-80页
        3.5.3 反应时间的影响第80-81页
    3.6 可见光下光催化剂降解罗丹明B第81-82页
        3.6.1 CuS纳米管/g-C_3N_4和g-C_3N_4对RhB降解的对比第81-82页
    3.7 本章小结第82-84页
第4章 四种形貌CuS/g-C_3N_4纳米复合物的制备及光催化性质的比较第84-98页
    4.1 引言第84-85页
    4.2 实验仪器及试剂第85-86页
        4.2.1 实验仪器第85页
        4.2.2 实验试剂第85-86页
    4.3 实验方法第86-88页
        4.3.1 g-C_3N_4的制备第86页
        4.3.2 四种形貌CuS/g-C_3N_4纳米复合物的制备第86-87页
        4.3.3 四种形貌CuS/g-C_3N_4纳米复合物的表征第87-88页
        4.3.4 光催化降解实验及分析第88页
    4.4 四种形貌CuS/g-C_3N_4纳米复合物的表征第88-94页
        4.4.1 TEM表征第88-89页
        4.4.2 XRD表征第89-90页
        4.4.3 光吸收边带及能级分析第90-91页
        4.4.4 荧光分析第91-92页
        4.4.5 光电流响应分析第92-93页
        4.4.6 BET和孔径分布分析第93-94页
    4.5 可见光下光催化剂对罗丹明B降解的初步研究第94-95页
        4.5.1 四种形貌CuS/g-C_3N_4纳米复合物和g-C_3N_4对RhB降解的对比第94-95页
    4.6 本章小结第95-98页
第5章 结论与展望第98-102页
    5.1 结论第98-99页
    5.2 创新点第99-100页
    5.3 展望第100-102页
参考文献第102-118页
攻读硕士期间已发表的论文第118-120页
致谢第120页

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