摘要 | 第5-7页 |
ABSTRACT | 第7-9页 |
1 绪论 | 第14-31页 |
1.1 半导体的光催化作用原理 | 第14-16页 |
1.1.1 半导体材料的能带结构 | 第14页 |
1.1.2 光催化反应机理 | 第14-16页 |
1.2 半导体光催化材料研究进展 | 第16-18页 |
1.2.1 传统TiO_2光催化材料 | 第16页 |
1.2.2 钽系钙钛矿结构光催化材料 | 第16-17页 |
1.2.3 钨酸盐系光催化材料 | 第17-18页 |
1.2.4 钼酸盐系光催化材料 | 第18页 |
1.2.5 钒酸盐系光催化材料 | 第18页 |
1.3BiVO_4光催化材料的研究现状 | 第18-24页 |
1.3.1BiVO_4的基本性质 | 第18-20页 |
1.3.2BiVO_4光催化材料的应用 | 第20-21页 |
1.3.3BiVO_4光催化材料的改性 | 第21-24页 |
1.4BiVO_4的制备方法 | 第24-26页 |
1.4.1 高温固相法 | 第24-25页 |
1.4.2 化学共沉淀法 | 第25页 |
1.4.3 微乳液法 | 第25页 |
1.4.4 水热法 | 第25-26页 |
1.4.5 超声化学 | 第26页 |
1.5 光催化剂催化活性的影响因素 | 第26-29页 |
1.5.1 晶型和晶面的影响 | 第26-27页 |
1.5.2 晶粒尺寸的影响 | 第27-28页 |
1.5.3 结晶度的影响 | 第28页 |
1.5.4 比表面积的影响 | 第28页 |
1.5.5 光催化剂形貌的影响 | 第28页 |
1.5.6 其他影响因素 | 第28-29页 |
1.6 本论文研究思路、内容及创新点 | 第29-31页 |
2 实验部分 | 第31-35页 |
2.1 实验原料 | 第31-32页 |
2.2 工艺流程 | 第32-35页 |
2.2.1BiVO_4粉体的制备 | 第32页 |
2.2.2 改性BiVO_4粉体的制备 | 第32-33页 |
2.2.3 样品的表征 | 第33-34页 |
2.2.4 光催化实验 | 第34页 |
2.2.5 电化学实验 | 第34-35页 |
3 纯相BiVO_4粉体的制备与光催化性能研究 | 第35-56页 |
3.1 NaOH加入量对BiVO_4粉体的影响 | 第35-44页 |
3.1.1 不同NaOH加入量制备BiVO_4的结构分析 | 第35-38页 |
3.1.2 不同NaOH加入量制备BiVO_4的形貌分析 | 第38-40页 |
3.1.3 不同NaOH加入量制备BiVO_4的TEM分析 | 第40-41页 |
3.1.4 不同NaOH加入量制备BiVO_4的光催化活性分析 | 第41-44页 |
3.2 反应温度对BiVO_4粉体的影响 | 第44-46页 |
3.2.1 不同温度制备BiVO_4的结构分析 | 第44页 |
3.2.2 不同温度制备BiVO_4的形貌分析 | 第44-45页 |
3.2.3 不同温度制备BiVO_4的光催化活性分析 | 第45-46页 |
3.3 反应时间对BiVO_4粉体的影响 | 第46-49页 |
3.3.1 不同时间制备BiVO_4的结构分析 | 第46-47页 |
3.3.2 不同时间制备BiVO_4的形貌分析 | 第47-48页 |
3.3.3 不同时间制备BiVO_4的光催化活性分析 | 第48-49页 |
3.4 PVP对BiVO_4粉体的影响 | 第49-55页 |
3.4.1 不同PVP含量制备BiVO_4的结构分析 | 第49-51页 |
3.4.2 不同PVP含量制备BiVO_4的形貌分析 | 第51-52页 |
3.4.3 不同PVP含量制备BiVO_4的PL分析 | 第52-53页 |
3.4.4 不同PVP含量制备BiVO_4的光催化活性分析 | 第53-55页 |
3.5 本章小结 | 第55-56页 |
4 N掺杂BiVO_4粉体的制备与光催化性能研究 | 第56-75页 |
4.1 反应温度对N掺杂BiVO_4粉体的影响 | 第56-65页 |
4.1.1 不同温度制备N掺杂BiVO_4粉体的结构分析 | 第56-58页 |
4.1.2 不同温度制备N掺杂BiVO_4粉体的形貌分析 | 第58-59页 |
4.1.3 不同温度制备N掺杂BiVO_4粉体的PL分析 | 第59-60页 |
4.1.4 不同温度制备N掺杂BiVO_4粉体的光催化活性分析 | 第60-62页 |
4.1.5 不同温度制备N掺杂BiVO_4粉体的交流阻抗分析 | 第62-63页 |
4.1.6 不同温度制备N掺杂BiVO_4粉体的Mott-Schottky分析 | 第63-65页 |
4.1.7 不同温度制备N掺杂BiVO_4粉体的光电流分析 | 第65页 |
4.2 不同N/Bi摩尔比对N掺杂BiVO_4粉体的影响 | 第65-74页 |
4.2.1 不同N/Bi摩尔比制备N掺杂BiVO_4粉体的结构分析 | 第65-67页 |
4.2.2 不同N/Bi摩尔比制备N掺杂BiVO_4粉体的形貌分析 | 第67-68页 |
4.2.3 不同N/Bi摩尔比制备N掺杂BiVO_4粉体的PL分析 | 第68-69页 |
4.2.4 不同N/Bi摩尔比制备N掺杂BiVO_4粉体的光催化活性分析 | 第69-71页 |
4.2.5 N掺杂BiVO_4粉体的光电流分析 | 第71-72页 |
4.2.6 N掺杂BiVO_4粉体的交流阻抗分析 | 第72页 |
4.2.7 N掺杂BiVO_4粉体的能带结构分析 | 第72-74页 |
4.3 本章小结 | 第74-75页 |
5 F掺杂BiVO_4粉体的制备与光催化性能研究 | 第75-92页 |
5.1 反应温度对F掺杂BiVO_4粉体的影响 | 第75-84页 |
5.1.1 不同温度制备F掺杂BiVO_4粉体的结构分析 | 第75-78页 |
5.1.2 不同温度制备F掺杂BiVO_4粉体的形貌分析 | 第78-79页 |
5.1.3 不同温度制备F掺杂BiVO_4粉体的PL分析 | 第79页 |
5.1.4 不同温度制备F掺杂BiVO_4粉体的光催化活性分析 | 第79-81页 |
5.1.5 不同温度制备F掺杂BiVO_4粉体的交流阻抗分析 | 第81-82页 |
5.1.6 不同温度制备F掺杂BiVO_4粉体的Mott-Schottky分析 | 第82-83页 |
5.1.7 不同温度制备F掺杂BiVO_4粉体的光电流分析 | 第83-84页 |
5.2 不同F/Bi摩尔比对F掺杂BiVO_4粉体的影响 | 第84-91页 |
5.2.1 不同F/Bi摩尔比制备F掺杂BiVO_4粉体的结构分析 | 第84-85页 |
5.2.2 不同F/Bi摩尔比制备F掺杂BiVO_4粉体的形貌分析 | 第85-87页 |
5.2.3 不同F/Bi摩尔比制备F掺杂BiVO_4粉体的光催化活性分析 | 第87-88页 |
5.2.4 不同F/Bi摩尔比制备F掺杂BiVO_4粉体的交流阻抗分析 | 第88-89页 |
5.2.5 不同F/Bi摩尔比制备F掺杂BiVO_4粉体的能带结构分析 | 第89-90页 |
5.2.6 不同F/Bi摩尔比制备F掺杂BiVO_4粉体的光电流分析 | 第90-91页 |
5.3 本章小结 | 第91-92页 |
6 Cu掺杂BiVO_4粉体的制备与光催化性能研究 | 第92-99页 |
6.1 反应温度对Cu掺杂BiVO_4粉体的影响 | 第92-95页 |
6.1.1 不同温度制备Cu掺杂BiVO_4粉体的结构分析 | 第92-93页 |
6.1.2 不同温度制备Cu掺杂BiVO_4粉体的形貌分析 | 第93-94页 |
6.1.3 不同温度制备Cu掺杂BiVO_4粉体的光催化活性分析 | 第94-95页 |
6.2 不同掺杂量对Cu掺杂BiVO_4粉体的影响 | 第95-98页 |
6.2.1 不同掺杂量制备Cu掺杂BiVO_4的结构分析 | 第95-96页 |
6.2.2 不同掺杂量制备Cu掺杂BiVO_4的形貌分析 | 第96-97页 |
6.2.3 不同掺杂量制备Cu掺杂BiVO_4的光催化活性分析 | 第97-98页 |
6.3 本章小结 | 第98-99页 |
7 稀土离子共掺BiVO_4粉体的制备与光催化性能研究 | 第99-110页 |
7.1 Er和Sm共掺杂对BiVO_4粉体的影响 | 第99-105页 |
7.1.1 Sm-Er-BiVO_4的结构分析 | 第99-101页 |
7.1.2 Sm-Er-BiVO_4的形貌分析 | 第101-102页 |
7.1.3 Sm-Er-BiVO_4的光催化活性分析 | 第102-105页 |
7.2 Nd和Eu共掺杂对BiVO_4粉体的影响 | 第105-109页 |
7.2.1 Eu-Nd-BiVO_4的结构分析 | 第105页 |
7.2.2 Eu-Nd-BiVO_4的形貌分析 | 第105-107页 |
7.2.3 Eu-Nd-BiVO_4的光催化活性分析 | 第107-109页 |
7.3 本章小结 | 第109-110页 |
8 结论 | 第110-112页 |
致谢 | 第112-113页 |
参考文献 | 第113-126页 |
攻读博士期间发表的学术论文 | 第126-127页 |