APD红外探测器结构与外延工艺研究
| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第1章 绪论 | 第8-14页 |
| 1.1 课题背景 | 第8-9页 |
| 1.2 雪崩光电二极管的发展和研究现状 | 第9-10页 |
| 1.3 雪崩光电二极管的结构 | 第10-13页 |
| 1.4 本文研究的主要内容 | 第13-14页 |
| 第2章 APD器件的基本概念 | 第14-20页 |
| 2.1 引言 | 第14-15页 |
| 2.1.1 光电探测器的基本原理 | 第14-15页 |
| 2.1.2 APD器件的工作原理 | 第15页 |
| 2.2 APD的几个重要参数 | 第15-19页 |
| 2.2.1 APD的倍增因子 | 第15-16页 |
| 2.2.2 内量子效率与探测率 | 第16-17页 |
| 2.2.3 APD的响应速度 | 第17页 |
| 2.2.4 暗电流和噪声 | 第17-19页 |
| 2.3 本章小结 | 第19-20页 |
| 第3章 外延工艺与检测 | 第20-32页 |
| 3.1 MOCVD系统 | 第20-23页 |
| 3.1.1 反应室系统 | 第20-21页 |
| 3.1.2 气体输运系统 | 第21-22页 |
| 3.1.3 尾气处理系统 | 第22-23页 |
| 3.2 外延生长的调节 | 第23-26页 |
| 3.3 外延结构检测设备 | 第26-31页 |
| 3.3.1 光致发光谱 | 第26-27页 |
| 3.3.2 电化学CV（ECV） | 第27-30页 |
| 3.3.3 霍尔效应 | 第30-31页 |
| 3.4 本章小结 | 第31-32页 |
| 第4章 APD器件的结构设计 | 第32-40页 |
| 4.1 器件材料与结构 | 第32-33页 |
| 4.1.1 器件材料选择 | 第32-33页 |
| 4.2 器件结构参数 | 第33-38页 |
| 4.2.1 电场强度分布 | 第33-35页 |
| 4.2.2 倍增因子的影响 | 第35-36页 |
| 4.2.3 APD的吸收层厚度 | 第36-37页 |
| 4.2.4 APD的外延结构 | 第37-38页 |
| 4.3 本章小结 | 第38-40页 |
| 第5章 APD器件的外延生长 | 第40-50页 |
| 5.1 材料生长优化 | 第40-44页 |
| 5.1.1 InGaAs材料与InP晶格的匹配 | 第40-41页 |
| 5.1.2 InP材料的P型掺杂和本征材料生长 | 第41-44页 |
| 5.2 InP/InGaAs材料的界面生长 | 第44-47页 |
| 5.2.1 实验方法 | 第44-45页 |
| 5.2.2 实验结果分析 | 第45-47页 |
| 5.3 外延结构的生长和测试结果 | 第47-48页 |
| 5.4 本章小结 | 第48-50页 |
| 结论 | 第50-52页 |
| 参考文献 | 第52-57页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第57-59页 |
| 致谢 | 第59页 |
