| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-19页 |
| 1.1 研究背景与意义 | 第11-13页 |
| 1.2 CCD中子照相闪烁体研究现状 | 第13-16页 |
| 1.3 本文主要工作 | 第16-19页 |
| 第二章 基本原理与计算软件 | 第19-29页 |
| 2.1 中子探测 | 第19-20页 |
| 2.1.1 中子探测方法 | 第19-20页 |
| 2.1.2 基于钆元素的中子探测 | 第20页 |
| 2.2 γ射线与物质的相互作用 | 第20-23页 |
| 2.2.1 γ射线与物质相互作用的方式 | 第20-22页 |
| 2.2.2 γ射线的吸收 | 第22-23页 |
| 2.3 闪烁体 | 第23-25页 |
| 2.4 n-γ甄别方法 | 第25-27页 |
| 2.5 Geant4软件 | 第27-29页 |
| 2.5.1 Geant4简介 | 第27页 |
| 2.5.2 Geant4的软件构造 | 第27页 |
| 2.5.3 Geant编程 | 第27-29页 |
| 第三章 GdI_3:Ce辐射探测性能与改进的模拟分析 | 第29-45页 |
| 3.1 GdI_3:Ce闪烁体的γ探测性能 | 第29-34页 |
| 3.1.1 GdI_3:Ce闪烁体γ线性衰减系数 | 第29-31页 |
| 3.1.2 厚度250μm GdI_3:Ce闪烁体的γ探测性能 | 第31-34页 |
| 3.2 GdI_3:Ce闪烁体中子探测性能 | 第34-39页 |
| 3.2.1 GdI_3:Ce内转换电子能谱和俘获γ射线能谱 | 第34-35页 |
| 3.2.2 不同厚度的GdI_3:Ce晶体对内转换电子的探测效果 | 第35-37页 |
| 3.2.3 厚度250μm GdI_3:Ce闪烁体的热中子探测效果 | 第37-39页 |
| 3.3 GdI_3:Ce闪烁体中子探测的γ抑制 | 第39-43页 |
| 3.3.1 铅屏蔽层法 | 第39-43页 |
| 3.3.2 薄闪烁体法 | 第43页 |
| 3.4 小结 | 第43-45页 |
| 第四章 GdI_3:Ce辐射探测实验 | 第45-55页 |
| 4.1 ~(137)Cs和~(241)Am γ源的测量 | 第45-47页 |
| 4.2 不同厚度铅屏蔽层条件下~(252)Cf源的测量 | 第47-52页 |
| 4.3 中子信号的验证 | 第52-53页 |
| 4.4 小结 | 第53-55页 |
| 第五章 总结与展望 | 第55-57页 |
| 参考文献 | 第57-61页 |
| 发表文章情况 | 第61-63页 |
| 致谢 | 第63页 |
