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钴/镍/钨/钽助剂对ReS2(001)表面催化氢处理及加氢脱硫机制影响的第一性原理研究

摘要第5-6页
Abstract第6页
第一章 绪论第9-22页
    1 研究背景第9-22页
        1.1 表面催化反应第9-10页
        1.2 研究表面问题的理论方法第10-12页
        1.3 研究课题的选择和目前研究现状第12-19页
            1.3.1 研究意义第12-15页
            1.3.2 研究现状第15-18页
            1.3.3 加氢脱硫催化剂第18-19页
        1.4 研究内容第19-22页
第二章 理论基础及计算方法第22-29页
    2.1 第一性原理第22-24页
        2.1.1 Born-Oppenheimer近似第23页
        2.1.2 非相对论近似第23-24页
        2.1.3 轨道近似第24页
    2.2 密度泛函理论第24-26页
        2.2.1 Kohn-Sham方程第25页
        2.2.2 交换相关泛函第25-26页
    2.3 过渡态的定义和计算方法第26-28页
        2.3.1 过渡态和活化能第26-27页
        2.3.2 计算过渡态的方法第27-28页
    2.4 VASP软件包介绍第28-29页
第三章 氢气在有无助剂影响下和硫化条件下的ReS_2(001)表面的活性第29-50页
    3.1.引言第29-30页
    3.2 计算方法和热力学模型第30-34页
        3.2.1 计算方法第30-32页
        3.2.2 热力学模型第32-34页
    3.3 表面相图第34-36页
    3.4 氢气的吸附和解离第36-49页
        3.4.1 氢气在纯的ReS_2表面解离吸附第37-39页
        3.4.2 氢气在Co(Ni)掺杂的ReS_2表面解离吸附第39-43页
        3.4.3 氢气在W(Ta)掺杂的ReS_2表面解离吸附第43-49页
    3.5. 本章小结第49-50页
第四章 密度泛函理论研究噻吩在ReS_2催化剂(001)表面加氢脱硫机制第50-69页
    4.1 引言第50-52页
    4.2 计算方法第52页
    4.3 计算结果第52-63页
        4.3.1 噻吩在纯的ReS_2表面的吸附第53-54页
        4.3.2 噻吩在ReS_2(001)表面的加氢脱硫机制第54-55页
        4.3.3 噻吩的直接脱硫机制第55-57页
        4.3.4 噻吩的加氢脱硫路径第57-63页
            生成 2-丁烯第61页
            生成 1-丁烯第61-63页
    4.4 结果讨论第63-66页
        4.4.1 氢化反应第63-65页
        4.4.2 S-C键的断裂反应第65-66页
    4.5 准平衡近似下的动力学分析第66-67页
    4.6 本章小结第67-69页
第五章 助剂对噻吩在ReS_2催化剂上加氢脱硫的影响第69-81页
    5.1 引言第69-70页
    5.2 计算方法第70页
    5.3 计算结果与讨论第70-79页
        5.3.1 直接脱硫路径第70-74页
        5.3.2 加氢脱硫路径第74-79页
    5.4 本章小结第79-81页
第六章 总结与展望第81-82页
    6.1 总结第81页
    6.2 展望第81-82页
参考文献第82-101页
攻读学位期间发表的论文及获奖情况第101-102页
致谢第102页

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