| 摘要 | 第6-8页 |
| Abstract | 第8-9页 |
| 第一章 前言 | 第13-32页 |
| 1.1 量子点概述 | 第13-16页 |
| 1.1.1 量子点的发光原理 | 第13-14页 |
| 1.1.2 量子点光学特性 | 第14-16页 |
| 1.2 量子点的合成方法 | 第16-18页 |
| 1.2.1 有机相合成 | 第16-17页 |
| 1.2.2 量子点的水相合成 | 第17-18页 |
| 1.3 量子点表面的功能化修饰 | 第18-21页 |
| 1.3.1 表面两亲性聚合物的包覆 | 第19页 |
| 1.3.2 表面配体交换 | 第19-20页 |
| 1.3.3 表面二氧化硅的包覆 | 第20-21页 |
| 1.4 量子点在分析检测中的应用 | 第21-30页 |
| 1.4.1 检测机理 | 第21-23页 |
| 1.4.2 单发射荧光探针 | 第23-24页 |
| 1.4.3 比率型荧光探针 | 第24-29页 |
| 1.4.4 分子印迹技术 | 第29-30页 |
| 1.5 课题研究目的与内容 | 第30-32页 |
| 第二章 试剂、仪器及测试方法 | 第32-36页 |
| 2.1 实验试剂 | 第32-34页 |
| 2.2 实验仪器 | 第34页 |
| 2.3 测试方法 | 第34-36页 |
| 2.3.1 高分辨透射电子显微镜 | 第34页 |
| 2.3.2 X射线光电子能谱 | 第34页 |
| 2.3.3 荧光光谱分析 | 第34-35页 |
| 2.3.4 紫外光谱分析 | 第35-36页 |
| 第三章 基于离子印迹的量子点比率荧光探针制备及其用于Cd~(2+)检测 | 第36-50页 |
| 3.1 前言 | 第36-37页 |
| 3.2 实验部分 | 第37-40页 |
| 3.2.1 MPA包裹的红色荧光CdTe量子点的合成 | 第37-38页 |
| 3.2.2 双稳定剂包裹的CdSe量子点的合成 | 第38页 |
| 3.2.3 氨基修饰的CdTe@SiO_2纳米微球的合成 | 第38-39页 |
| 3.2.4 CdTe@SiO_2@CdSe比率探针的合成 | 第39页 |
| 3.2.5 缓冲液中Cd~(2+)的检测 | 第39页 |
| 3.2.6 实际水体样品中Cd~(2+)的检测 | 第39-40页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第40-49页 |
| 3.3.1 CdTe@SiO_2@CdSe比率探针的表征 | 第40-41页 |
| 3.3.2 CdTe@SiO_2@CdSe比率探针的的检测原理 | 第41-43页 |
| 3.3.3 比率探针检测的影响因素 | 第43-45页 |
| 3.3.4 比率探针用于turn-on检测Cd~(2+) | 第45-47页 |
| 3.3.5 离子印迹比率探针的选择性 | 第47-48页 |
| 3.3.6 比率探针检测实际水样 | 第48-49页 |
| 3.4 本章小结 | 第49-50页 |
| 第四章 用于比率传感的双发射CdTe@SiO_2@CdTe@SiO_2杂化纳米粒子的控制合成 | 第50-69页 |
| 4.1 前言 | 第50-51页 |
| 4.2 实验部分 | 第51-55页 |
| 4.2.1 3-巯基丙酸（MPA）修饰的CdTe量子点的合成 | 第51-52页 |
| 4.2.2 巯基修饰和氨基修饰的CdTe@SiO_2纳米粒子的合成 | 第52页 |
| 4.2.3 MPS修饰的CdTe@SiO_2@CdTe纳米粒子的合成 | 第52-53页 |
| 4.2.4 双发射的CdTe@SiO_2@CdTe纳米粒子的合成 | 第53页 |
| 4.2.5 双发射CdTe@SiO_2@CdTe@SiO_2纳米粒子的合成 | 第53页 |
| 4.2.6 金纳米颗粒的合成 | 第53-54页 |
| 4.2.7 稳定性测试 | 第54页 |
| 4.2.8 细胞毒性测试 | 第54页 |
| 4.2.9 基于能量转移的比率检测 | 第54-55页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第55-68页 |
| 4.3.1 双发射荧光纳米粒子的合成与光谱表征 | 第55-62页 |
| 4.3.2 双发射荧光纳米粒子稳定性的探究 | 第62-65页 |
| 4.3.3 双发射荧光纳米粒子能量转移过程的研究 | 第65-68页 |
| 4.4 本章小结 | 第68-69页 |
| 第五章 总结与展望 | 第69-71页 |
| 参考文献 | 第71-91页 |
| 作者简历 | 第91-92页 |
| 致谢 | 第92页 |
