| 摘要 | 第3-4页 |
| abstract | 第4-5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-14页 |
| 1.1 AlN的结构和性质简介 | 第8-9页 |
| 1.2 AlN（110）薄膜定向生长的国内外研究现状 | 第9-10页 |
| 1.2.1 Al N的制备方法 | 第9-10页 |
| 1.2.2 溅射工艺参数对AlN薄膜的影响 | 第10页 |
| 1.3 AlN薄膜的光电性能 | 第10-12页 |
| 1.3.1 光学性能 | 第10-11页 |
| 1.3.2 电学性能 | 第11-12页 |
| 1.4 本文研究内容及需解决的问题 | 第12-14页 |
| 第二章 磁控溅射镀膜与薄膜的形成原理 | 第14-19页 |
| 2.1 薄膜的生长 | 第14-15页 |
| 2.2 溅射镀膜的原理 | 第15-19页 |
| 第三章 制备AlN薄膜的方法及表征技术 | 第19-28页 |
| 3.1 实验设备 | 第19页 |
| 3.2 实验材料 | 第19页 |
| 3.3 薄膜制备过程 | 第19-21页 |
| 3.4 测试Al N薄膜样品的结构形貌、成份及光学性能 | 第21-28页 |
| 3.4.1 物相分析—X射线衍射 | 第21-22页 |
| 3.4.2 原子力显微镜（AFM） | 第22-23页 |
| 3.4.3 扫描电镜（SEM）及能量色散谱仪（EDS） | 第23-24页 |
| 3.4.4 X射线光电子能谱分析（ XPS） | 第24-26页 |
| 3.4.5 光学性能分析 | 第26-28页 |
| 第四章 不同工艺参数对Al N薄膜的影响 | 第28-63页 |
| 4.1 含氮百分比对Al N薄膜结构与性能的影响 | 第28-37页 |
| 4.1.1 含氮百分比对Al N薄膜结晶取向的影响 | 第28-30页 |
| 4.1.2 含氮百分比对Al N薄膜沉积速率的影响 | 第30-31页 |
| 4.1.3 含氮百分比对Al N薄膜的表面形貌的影响。 | 第31-33页 |
| 4.1.4 含氮百分比对Al N薄膜成分的影响 | 第33-35页 |
| 4.1.5 含氮百分比对Al N薄膜光学性能的影响 | 第35-37页 |
| 4.2.溅射腔体气压对Al N薄膜结构与性能的影响 | 第37-46页 |
| 4.2.1 溅射腔体气压对Al N薄膜择优取向的影响 | 第38-39页 |
| 4.2.2 溅射腔体气压对Al N薄膜沉积速率的影响 | 第39-40页 |
| 4.2.3 溅射腔体气压对Al N薄膜的表面形貌的影响 | 第40-42页 |
| 4.2.4 溅射腔体气压对Al N薄膜成分的影响 | 第42-44页 |
| 4.2.5 溅射腔体气压对Al N薄膜光学性能的影响 | 第44-46页 |
| 4.3 溅射电流对Al N薄膜结构与性能的影响 | 第46-54页 |
| 4.3.1 溅射电流对Al N薄膜择优取向的影响 | 第46-47页 |
| 4.3.2 溅射电流对Al N薄膜沉积速率的影响 | 第47-49页 |
| 4.3.3 溅射工作电流对Al N薄膜的表面形貌的影响 | 第49-50页 |
| 4.3.4 溅射工作电流对Al N薄膜成分的影响 | 第50-52页 |
| 4.3.5 溅射工作电流对Al N薄膜光学性能的影响 | 第52-54页 |
| 4.4 衬底温度对Al N薄膜结构与性能的影响 | 第54-63页 |
| 4.4.1 衬底温度对Al N薄膜择优取向的影响 | 第54-56页 |
| 4.4.2 衬底温度对Al N薄膜沉积速率的影响 | 第56-57页 |
| 4.4.3 衬底温度对Al N薄膜的表面形貌的影响 | 第57-59页 |
| 4.4.4 衬底温度对Al N薄膜成分的影响 | 第59-60页 |
| 4.4.5 衬底温度对Al N薄膜光学性能的影响 | 第60-63页 |
| 第五章 结论 | 第63-65页 |
| 致谢 | 第65-66页 |
| 参考文献 | 第66-69页 |
