| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-9页 |
| 第一章 绪论 | 第12-31页 |
| 1.1 钙钛矿复杂氧化物和多铁异质结结构 | 第14-22页 |
| 1.1.1 钙钛矿氧化物的晶体结构 | 第14-15页 |
| 1.1.2 多铁异质结器件及其应用 | 第15-18页 |
| 1.1.3 多铁异质结的界面结构及其物理性质 | 第18-22页 |
| 1.2 球差校正电镜研究异质结结构的优势 | 第22-24页 |
| 1.3 本论文的研究目的和主要内容 | 第24页 |
| 参考文献 | 第24-31页 |
| 第二章 多态存储器件氧化物异质结界面的设计和制备工艺 | 第31-41页 |
| 2.1 多态存储器件异质结结构设计 | 第31-32页 |
| 2.2 氧化物异质结结构的制备方法 | 第32-37页 |
| 2.2.1 脉冲激光沉积技术(PLD) | 第33-34页 |
| 2.2.2 原位反射式高能电子衍射谱 | 第34-37页 |
| 参考文献 | 第37-41页 |
| 第三章 高分辨扫描透射电子显微镜表征技术 | 第41-67页 |
| 3.1 扫描透射电子显微镜(STEM)的构造和基本原理 | 第41-51页 |
| 3.1.1 STEM电镜的构造 | 第41页 |
| 3.1.2 成像的基本原理 | 第41-44页 |
| 3.1.3 限制成像分辨率的因素 | 第44-46页 |
| 3.1.4 球差校正技术的变革 | 第46-49页 |
| 3.1.5 球差校正STEM模式下电子束的形成 | 第49-51页 |
| 3.2 电子能量损失能谱(EELS) | 第51-56页 |
| 3.2.1 与传统TEM分析技术的区别 | 第52-53页 |
| 3.2.2 电子能量损失能谱仪 | 第53-55页 |
| 3.2.3 EELS实验对样品的要求 | 第55页 |
| 3.2.4 EELS计算样品厚度 | 第55-56页 |
| 3.3 EELS数据处理 | 第56-58页 |
| 3.4 过渡金属氧化物ELNES与价态的关系 | 第58-61页 |
| 3.5 过渡金属氧化物ELNES与氧空位的关系 | 第61页 |
| 参考文献 | 第61-67页 |
| 第四章 球差校正STEM对多铁异质结的高分辨率表征研究 | 第67-88页 |
| 4.1 LNO/PCMO/BTO/LSMO异质结结构的生长 | 第68-69页 |
| 4.2 SIEM和EELS实验的样品制备 | 第69-71页 |
| 4.3 电镜表征方法和成像参数 | 第71页 |
| 4.4 LNO/PCMO/BTO/LSMO异质结结构的预想界面结构与HAADF图像 | 第71-73页 |
| 4.5 界面组分和界面明锐度 | 第73-77页 |
| 4.6 界面处Mn的价态研究 | 第77-81页 |
| 4.6.1 Mn氧化物的白线法校准 | 第77-78页 |
| 4.6.2 界面Mn的EELS精细结构分析 | 第78-80页 |
| 4.6.3 界面O的EELS精细结构分析 | 第80-81页 |
| 4.7 界面电子结构研究以及其对器件性能的影响 | 第81-83页 |
| 本章小结 | 第83页 |
| 参考文献 | 第83-88页 |
| 第五章 结论与展望 | 第88-89页 |
| 论文发表情况 | 第89-90页 |
| 致谢 | 第90-91页 |
