CdSiP2晶体中缺陷与光学性质关系的第一性原理研究
| 摘要 | 第8-10页 |
| ABSTRACT | 第10-12页 |
| 第一章 绪论 | 第13-28页 |
| 1.1 引言 | 第13-14页 |
| 1.2 红外非线性晶体 | 第14-17页 |
| 1.2.1 红外材料应用要求 | 第14-15页 |
| 1.2.2 黄铜矿结构 | 第15-17页 |
| 1.3 磷硅镉晶体的研究现状 | 第17-19页 |
| 1.3.1 晶体生长方法简介 | 第17-18页 |
| 1.3.2 磷硅镉晶体 | 第18-19页 |
| 1.4 磷硅镉晶体中的缺陷 | 第19-22页 |
| 1.4.1 CSP晶体本征缺陷 | 第20-21页 |
| 1.4.2 晶体杂质缺陷 | 第21-22页 |
| 1.5 本论文的研究内容 | 第22-24页 |
| 参考文献 | 第24-28页 |
| 第二章 计算方法 | 第28-40页 |
| 2.1 第一性原理计算方法概述 | 第28-30页 |
| 2.1.1 多粒子系统的薛定谔方程 | 第29页 |
| 2.1.2 绝热近似方法 | 第29-30页 |
| 2.1.3 单电子近似 | 第30页 |
| 2.2 密度泛函理论 | 第30-35页 |
| 2.2.1 Hohenberg-Kohn定理 | 第31-32页 |
| 2.2.2 Kohn-Sham方程 | 第32页 |
| 2.2.3 交换关联泛函 | 第32-33页 |
| 2.2.4 基函数与赝势 | 第33-35页 |
| 2.3 第一性原理软件包 | 第35-37页 |
| 2.3.1 VASP | 第35-37页 |
| 参考文献 | 第37-40页 |
| 第三章 磷硅镉本征缺陷的研究 | 第40-66页 |
| 3.1 引言 | 第40-42页 |
| 3.2 计算理论和方法 | 第42页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第42-62页 |
| 3.3.1 CSP晶体基本性质 | 第42-44页 |
| 3.3.2 超胞数目误差 | 第44-45页 |
| 3.3.3 缺陷化学势计算 | 第45-50页 |
| 3.3.4 缺陷形成能分布 | 第50-54页 |
| 3.3.5 电子结构与差分电荷密度 | 第54-57页 |
| 3.3.6 缺陷与光学性质的关系 | 第57-62页 |
| 3.4 本章小结 | 第62-63页 |
| 参考文献 | 第63-66页 |
| 第四章 磷硅镉复合缺陷和Fe杂质态缺陷的研究 | 第66-75页 |
| 4.1 引言 | 第66-67页 |
| 4.2 计算方法 | 第67-68页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第68-73页 |
| 4.3.1 形成能和结合能 | 第68-72页 |
| 4.3.2 光学性质 | 第72-73页 |
| 4.4 文章小结 | 第73-74页 |
| 参考文献 | 第74-75页 |
| 第五章 结论及有待一新展的工作 | 第75-77页 |
| 5.1 结论 | 第75-76页 |
| 5.2 有待进一步开展的工作 | 第76-77页 |
| 致谢 | 第77-79页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文及所获奖励 67 | 第79-80页 |
| 附件 | 第80页 |
