| 中文摘要 | 第1-3页 |
| Abstract | 第3-4页 |
| 中文文摘 | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-21页 |
| 第一节 自旋电子学 | 第8-9页 |
| 第二节 霍尔效应 | 第9-12页 |
| ·量子霍尔效应 | 第10-11页 |
| ·量子自旋霍尔效应 | 第11-12页 |
| 第三节 低维半导体 | 第12-15页 |
| ·量子阱 | 第13-14页 |
| ·量子点 | 第14-15页 |
| 第四节 拓扑绝缘体 | 第15-19页 |
| ·拓扑绝缘体的基本性质 | 第15-17页 |
| ·低维拓扑绝缘体的研究现状 | 第17-19页 |
| 第五节 本论文研究的基本思路及主要内容 | 第19-21页 |
| 第二章 拓扑绝缘体的理论基础 | 第21-29页 |
| 第一节 半导体Γ点附近的k·p微扰法理论 | 第21-22页 |
| 第二节 包络函数近似(EFA) | 第22-25页 |
| 第三节 拓扑绝缘体材料的理论模型 | 第25-29页 |
| 第三章 拓扑量子阱的能谱特性研究 | 第29-35页 |
| 第一节 常规半导体量子阱 | 第29-31页 |
| 第二节 拓扑量子阱 | 第31-34页 |
| 第三节 小结 | 第34-35页 |
| 第四章 拓扑量子点的能谱特性研究 | 第35-39页 |
| 第一节 方形拓扑量子点的特性研究 | 第35-37页 |
| 第二节 盘状拓扑量子点的特性研究 | 第37-38页 |
| 第三节 小结 | 第38-39页 |
| 第五章 磁性拓扑量子点的自旋特性研究 | 第39-49页 |
| 第一节 磁场下盘状HgTe量子点的特性 | 第39-40页 |
| 第二节 稀磁拓扑量子点的特性 | 第40-47页 |
| ·掺Mn~(2+)离子盘状拓扑量子点的自旋特性 | 第41-44页 |
| ·磁场下掺杂磁离子的(Hg_(1-x)Mn_xTe)拓扑量子点的自旋特性 | 第44-46页 |
| ·掺入极化Mn离子盘状拓扑量子点的特性 | 第46-47页 |
| 第三节 小结 | 第47-49页 |
| 第六章 结论 | 第49-51页 |
| 参考文献 | 第51-59页 |
| 攻读学位期间承担的科研任务与主要成果 | 第59-61页 |
| 致谢 | 第61-63页 |
| 个人简历 | 第63-65页 |