摘要 | 第1-5页 |
Abstract | 第5-10页 |
第1章 绪论 | 第10-24页 |
·引言 | 第10-11页 |
·薄膜晶体管的发展历程 | 第11-13页 |
·薄膜晶体管在液晶显示器(LCD)的应用 | 第13-14页 |
·ZnO基薄膜的特性 | 第14-16页 |
·ZnO薄膜 | 第14-15页 |
·MgZnO薄膜 | 第15-16页 |
·ZnO基薄膜晶体管的研究进展 | 第16-19页 |
·ZnO-TFT | 第16-18页 |
·MgZnO-TFT | 第18-19页 |
·薄膜晶体管结构、原理及性能指标 | 第19-23页 |
·薄膜晶体管的主要结构 | 第19-20页 |
·薄膜晶体管的原理 | 第20-21页 |
·薄膜晶体管的主要性能指标 | 第21-23页 |
·论文选题依据及主要研究内容 | 第23-24页 |
·论文选题依据 | 第23页 |
·论文主要研究内容 | 第23-24页 |
第2章 实验制备方法、工艺及样品表征 | 第24-32页 |
·TFT结构简介及制备工艺 | 第24-28页 |
·TFT的结构简介 | 第24页 |
·有源层的制备-脉冲激光沉积(PLD) | 第24-27页 |
·源漏电极的制备-电阻热蒸发法 | 第27-28页 |
·有源层薄膜的表征方法 | 第28-32页 |
·X射线衍射仪 (XRD) | 第28页 |
·扫描电子显微镜(SEM) | 第28-29页 |
·紫外-可见分光光度计(UV-Vis) | 第29-30页 |
·表面轮廓仪(台阶仪) | 第30页 |
·光致发光光谱(PL) | 第30-32页 |
第3章 MgZnO薄膜的制备及性能表征 | 第32-55页 |
·靶材及衬底的选择和薄膜制备过程 | 第32-33页 |
·靶材及衬底的选择 | 第32页 |
·薄膜制备过程 | 第32-33页 |
·氧气压强对MgZnO薄膜性能的影响 | 第33-40页 |
·氧气压强对MgZn O薄膜晶体结构的影响 | 第34-36页 |
·氧气压强对MgZn O薄膜形貌的影响 | 第36-37页 |
·氧气压强对MgZn O薄膜透射率的影响 | 第37-39页 |
·氧气压强对MgZn O薄膜光致发光性能的影响 | 第39-40页 |
·氧气流量对MgZnO薄膜性能的影响 | 第40-44页 |
·氧气流量对MgZn O薄膜晶体结构的影响 | 第40-42页 |
·氧气流量对MgZn O薄膜透射率的影响 | 第42-43页 |
·氧气流量对MgZn O薄膜光致发光性能的影响 | 第43-44页 |
·衬底温度对MgZnO薄膜性能的影响 | 第44-49页 |
·衬底温度对MgZn O薄膜晶体结构的影响 | 第44-46页 |
·衬底温度对MgZn O薄膜表面形貌的影响 | 第46-47页 |
·衬底温度对MgZn O薄膜透射率的影响 | 第47-48页 |
·衬底温度对MgZn O薄膜光致发光性能的影响 | 第48-49页 |
·MgO缓冲层对于Mg ZnO薄膜性能的影响 | 第49-53页 |
·不同温度的MgO缓冲层对于MgZnO薄膜性质的影响 40 | 第49-51页 |
·同一条件不同沉积时间的MgO缓冲层对MgZn O薄膜性能的影响 | 第51-53页 |
·本章小结 | 第53-55页 |
第4章 MgZnO-TFT的制备及其性能分析 | 第55-67页 |
·MgZnO-TFT的制备及测试 | 第55-57页 |
·样品的清洗 | 第55页 |
·MgZnO有源层的沉积 | 第55页 |
·源漏电极的沉积 | 第55-56页 |
·TFT的测试系统 | 第56-57页 |
·氧气压强对MgZnO-TFT电学性能的影响 | 第57-60页 |
·衬底温度对MgZnO-TFT电学性能的影响 | 第60-63页 |
·氮气退火对MgZnO-TFT电学性能的影响 | 第63-66页 |
·本章小结 | 第66-67页 |
第5章 MgZnO-TFT的稳定性研究 | 第67-76页 |
·MgZnO-TFT和ZnO-TFT光照稳定性的对比分析 | 第67-72页 |
·MgZnO薄膜和ZnO薄膜的基本性质分析 | 第67-69页 |
·MgZnO-TFT和ZnO-TFT的光照稳定性分析 | 第69-72页 |
·MgZnO-TFT的栅偏压稳定性分析 | 第72-74页 |
·本章小结 | 第74-76页 |
第6章 结论与展望 | 第76-78页 |
·结论 | 第76-77页 |
·展望 | 第77-78页 |
参考文献 | 第78-83页 |
致谢 | 第83-84页 |
攻读硕士学位期间参与的科研项目与科研成果 | 第84-85页 |