摘要 | 第1-6页 |
英文摘要 | 第6-12页 |
第一章 绪论 | 第12-46页 |
·存储材料的研究现状及发展未来 | 第12-13页 |
·电存储材料的种类 | 第13-22页 |
·掺杂的电存储材料体系 | 第13-14页 |
·主链共轭聚合物 | 第14-16页 |
·侧链共轭聚合物 | 第16-17页 |
·共轭小分子材料 | 第17-18页 |
·其它类型的电存储材料 | 第18-22页 |
·D-A型共轭材料及其器件性能优化策略 | 第22-43页 |
·改善调控表界面 | 第23-29页 |
·材料内部分子堆积的改善与调控 | 第29-36页 |
·提升加工性能 | 第36-39页 |
·提高稳定性 | 第39-43页 |
·本论文的目的意义及研究内容 | 第43-46页 |
·本论文选题的目的意义 | 第43页 |
·本论文的研究内容 | 第43-44页 |
·本论文的创新点 | 第44-46页 |
第二章 基于侧链含咔唑给体和硝基偶氮苯受体的共聚物的双机理调控三进制器件 | 第46-61页 |
摘要 | 第46页 |
·引言 | 第46-47页 |
·实验部分 | 第47-50页 |
·原料与试剂 | 第48页 |
·单体VCz和MIDO3 的合成 | 第48-49页 |
·电存储器件制备 | 第49页 |
·测试方法 | 第49-50页 |
·结果和讨论 | 第50-60页 |
·共聚物结构表征及组成测算 | 第50-52页 |
·聚合物的热稳定性 | 第52页 |
·电存储性能 | 第52-56页 |
·器件存储机制 | 第56-60页 |
·本章小结 | 第60-61页 |
第三章D-A1-A2 分子末端受体效应对薄膜形貌及器件存储进制和性能的调控 | 第61-74页 |
摘要 | 第61页 |
·引言 | 第61-62页 |
·实验部分 | 第62-64页 |
·原料与试剂 | 第62页 |
·系列小分子的合成 | 第62-63页 |
·电存储器件的制备 | 第63-64页 |
·测试及表征 | 第64页 |
·结果与讨论 | 第64-73页 |
·热稳定性 | 第64-65页 |
·光物理性质 | 第65-66页 |
·电化学性质 | 第66-67页 |
·薄膜表面形貌和内部堆积 | 第67-69页 |
·器件的电流-电压曲线 | 第69-71页 |
·存储机制 | 第71-73页 |
·本章小结 | 第73-74页 |
第四章 同类D-A分子中给受体在骨架中的不同排列对材料电存储性能的影响 | 第74-86页 |
摘要 | 第74页 |
·引言 | 第74-75页 |
·实验部分 | 第75-79页 |
·原料及试剂 | 第75-76页 |
·化合物的合成步骤 | 第76-78页 |
·电存储器件制备 | 第78页 |
·测试方法 | 第78-79页 |
·结果与讨论 | 第79-85页 |
·红外光谱及热稳定性 | 第79-80页 |
·光学和电化学性能 | 第80-81页 |
·电流?电压(I-V)曲线 | 第81-82页 |
·薄膜形貌及微结构 | 第82-84页 |
·存储机制 | 第84-85页 |
·本章小结 | 第85-86页 |
第五章 芳香间隔基调控骨架中三苯胺给体和菲并咪唑受体间电荷转移效应和器件 | 第86-97页 |
摘要 | 第86页 |
·引言 | 第86-87页 |
·实验部分 | 第87-89页 |
·原料与试剂 | 第87页 |
·分子的合成 | 第87-89页 |
·电存储器件的制备 | 第89页 |
·测试和表征 | 第89页 |
·结果与讨论 | 第89-96页 |
·光物理性质 | 第89-90页 |
·电化学性质 | 第90-91页 |
·电流-电压曲线 | 第91-93页 |
·薄膜的表面形貌 | 第93-94页 |
·数据存储机制 | 第94-96页 |
·本章小结 | 第96-97页 |
第六章 全文总结 | 第97-100页 |
·全文总结 | 第97-98页 |
·存在的问题和展望 | 第98-100页 |
参考文献 | 第100-116页 |
攻读学位期间公开发表的论文 | 第116-117页 |
致谢 | 第117-118页 |