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氮杂环共轭有机小分子结构调节器件存储性能的研究

摘要第1-6页
英文摘要第6-13页
第一章 绪论第13-37页
   ·信息存储材料研究的重要性及现有传统存储技术第13-14页
   ·电存储器件的存储类型第14-18页
     ·WORM型第14-16页
     ·Flash型第16页
     ·DRAM型第16-17页
     ·SRAM型第17-18页
   ·存储机理的研究第18-28页
     ·金属细丝或纳米粒子渗透模型第18-20页
     ·分子结构或晶体变化模型第20-21页
     ·相变模型第21-23页
     ·电荷捕获和释放模型第23-24页
     ·电荷转移或电荷陷阱模型第24-27页
     ·氧化还原模型第27-28页
   ·有机三进制存储第28-32页
     ·基于电荷陷阱理论的三进制存储第28-30页
     ·基于双机理驱动的三进制存储第30-32页
   ·存储器件的技术指标第32页
   ·本论文的目的意义及研究内容第32-37页
     ·本论文选题的目的意义第32-33页
     ·本论文的研究内容第33-37页
第二章 环状烷基链的空间扭曲效应对分子平面性及电存储器件性能的影响研究第37-49页
 摘要第37页
   ·引言第37-38页
   ·实验部分第38-43页
     ·原料及试剂第38-39页
     ·化合物合成步骤第39-42页
     ·电存储器件制备第42页
     ·测试方法第42-43页
   ·结果与讨论第43-48页
     ·光学和电化学性能第43-45页
     ·薄膜形态第45-46页
     ·电流-电压(I-V)性能第46-48页
   ·本章小结第48-49页
第三章 分子在薄膜中不同聚集方式对电存储器件性能影响的研究第49-62页
 摘要第49页
   ·引言第49-50页
   ·实验部分第50-53页
     ·原料及试剂第50页
     ·化合物合成步骤第50-53页
     ·电存储器件制备第53页
     ·测试方法第53页
   ·结果与讨论第53-61页
     ·热失重分析(TGA)和差示扫描量热分析(DSC)第53-54页
     ·光学和电化学性能第54-57页
     ·薄膜形态第57-59页
     ·电流-电压(I-V)性能第59-61页
   ·本章小结第61-62页
第四章 末端供电子基团共轭程度的调整对电存储器件性能影响的研究第62-76页
 摘要第62页
   ·引言第62-63页
   ·实验部分第63-69页
     ·原料及试剂第63页
     ·化合物合成步骤第63-68页
     ·电存储器件制备第68-69页
     ·测试方法第69页
   ·结果与讨论第69-75页
     ·热失重分析(TGA)第69页
     ·光学和电化学性能第69-71页
     ·薄膜形态第71-72页
     ·电流-电压(I-V)性能第72-75页
   ·本章小结第75-76页
第五章 分子骨架中电荷陷阱数量的调节对器件存储性能的影响第76-87页
 摘要第76页
   ·引言第76-77页
   ·实验部分第77-81页
     ·原料及试剂第77页
     ·化合物合成步骤第77-81页
     ·电存储器件制备第81页
     ·测试方法第81页
   ·结果与讨论第81-86页
     ·光学和电化学性能第81-83页
     ·薄膜形态第83-84页
     ·电流-电压(I-V)性能第84-86页
   ·本章小结第86-87页
第六章 含三陷阱有机小分子的设计合成及其四进制电存储性能的研究第87-95页
 摘要第87页
   ·引言第87-88页
   ·实验部分第88-90页
     ·原料及试剂第88页
     ·化合物合成步骤第88-90页
     ·电存储器件制备第90页
     ·测试方法第90页
   ·结果与讨论第90-94页
     ·光学和电化学性能第90-92页
     ·薄膜形态第92-93页
     ·电流-电压(I-V)性能第93-94页
   ·本章小结第94-95页
第七章全文总结第95-97页
   ·全文总结第95-96页
   ·存在的问题和展望第96-97页
附图第97-110页
参考文献第110-128页
攻读博士学位期间公开发表的论文第128-129页
致谢第129-130页

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