摘要 | 第1-6页 |
英文摘要 | 第6-13页 |
第一章 绪论 | 第13-37页 |
·信息存储材料研究的重要性及现有传统存储技术 | 第13-14页 |
·电存储器件的存储类型 | 第14-18页 |
·WORM型 | 第14-16页 |
·Flash型 | 第16页 |
·DRAM型 | 第16-17页 |
·SRAM型 | 第17-18页 |
·存储机理的研究 | 第18-28页 |
·金属细丝或纳米粒子渗透模型 | 第18-20页 |
·分子结构或晶体变化模型 | 第20-21页 |
·相变模型 | 第21-23页 |
·电荷捕获和释放模型 | 第23-24页 |
·电荷转移或电荷陷阱模型 | 第24-27页 |
·氧化还原模型 | 第27-28页 |
·有机三进制存储 | 第28-32页 |
·基于电荷陷阱理论的三进制存储 | 第28-30页 |
·基于双机理驱动的三进制存储 | 第30-32页 |
·存储器件的技术指标 | 第32页 |
·本论文的目的意义及研究内容 | 第32-37页 |
·本论文选题的目的意义 | 第32-33页 |
·本论文的研究内容 | 第33-37页 |
第二章 环状烷基链的空间扭曲效应对分子平面性及电存储器件性能的影响研究 | 第37-49页 |
摘要 | 第37页 |
·引言 | 第37-38页 |
·实验部分 | 第38-43页 |
·原料及试剂 | 第38-39页 |
·化合物合成步骤 | 第39-42页 |
·电存储器件制备 | 第42页 |
·测试方法 | 第42-43页 |
·结果与讨论 | 第43-48页 |
·光学和电化学性能 | 第43-45页 |
·薄膜形态 | 第45-46页 |
·电流-电压(I-V)性能 | 第46-48页 |
·本章小结 | 第48-49页 |
第三章 分子在薄膜中不同聚集方式对电存储器件性能影响的研究 | 第49-62页 |
摘要 | 第49页 |
·引言 | 第49-50页 |
·实验部分 | 第50-53页 |
·原料及试剂 | 第50页 |
·化合物合成步骤 | 第50-53页 |
·电存储器件制备 | 第53页 |
·测试方法 | 第53页 |
·结果与讨论 | 第53-61页 |
·热失重分析(TGA)和差示扫描量热分析(DSC) | 第53-54页 |
·光学和电化学性能 | 第54-57页 |
·薄膜形态 | 第57-59页 |
·电流-电压(I-V)性能 | 第59-61页 |
·本章小结 | 第61-62页 |
第四章 末端供电子基团共轭程度的调整对电存储器件性能影响的研究 | 第62-76页 |
摘要 | 第62页 |
·引言 | 第62-63页 |
·实验部分 | 第63-69页 |
·原料及试剂 | 第63页 |
·化合物合成步骤 | 第63-68页 |
·电存储器件制备 | 第68-69页 |
·测试方法 | 第69页 |
·结果与讨论 | 第69-75页 |
·热失重分析(TGA) | 第69页 |
·光学和电化学性能 | 第69-71页 |
·薄膜形态 | 第71-72页 |
·电流-电压(I-V)性能 | 第72-75页 |
·本章小结 | 第75-76页 |
第五章 分子骨架中电荷陷阱数量的调节对器件存储性能的影响 | 第76-87页 |
摘要 | 第76页 |
·引言 | 第76-77页 |
·实验部分 | 第77-81页 |
·原料及试剂 | 第77页 |
·化合物合成步骤 | 第77-81页 |
·电存储器件制备 | 第81页 |
·测试方法 | 第81页 |
·结果与讨论 | 第81-86页 |
·光学和电化学性能 | 第81-83页 |
·薄膜形态 | 第83-84页 |
·电流-电压(I-V)性能 | 第84-86页 |
·本章小结 | 第86-87页 |
第六章 含三陷阱有机小分子的设计合成及其四进制电存储性能的研究 | 第87-95页 |
摘要 | 第87页 |
·引言 | 第87-88页 |
·实验部分 | 第88-90页 |
·原料及试剂 | 第88页 |
·化合物合成步骤 | 第88-90页 |
·电存储器件制备 | 第90页 |
·测试方法 | 第90页 |
·结果与讨论 | 第90-94页 |
·光学和电化学性能 | 第90-92页 |
·薄膜形态 | 第92-93页 |
·电流-电压(I-V)性能 | 第93-94页 |
·本章小结 | 第94-95页 |
第七章全文总结 | 第95-97页 |
·全文总结 | 第95-96页 |
·存在的问题和展望 | 第96-97页 |
附图 | 第97-110页 |
参考文献 | 第110-128页 |
攻读博士学位期间公开发表的论文 | 第128-129页 |
致谢 | 第129-130页 |