| 中文摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-19页 |
| ·国内外太赫兹科学的发展现状 | 第8-13页 |
| ·太赫兹波简介 | 第8-9页 |
| ·太赫兹的产生 | 第9-11页 |
| ·太赫兹技术的应用 | 第11-13页 |
| ·太赫兹技术应用的技术限制 | 第13-14页 |
| ·太赫兹波操控技术的研究进展 | 第14-17页 |
| ·本论文的研究内容与结构 | 第17页 |
| ·本论文的创新之处 | 第17-19页 |
| 第二章 THz-TDS 与太赫兹波操控的理论背景 | 第19-36页 |
| ·太赫兹波操控研究的实验系统 | 第19-25页 |
| ·THz-TDS 简介 | 第19-20页 |
| ·光整流产生太赫兹脉冲 | 第20-21页 |
| ·光电导天线产生太赫兹脉冲 | 第21-23页 |
| ·光整流型THz-TDS | 第23-24页 |
| ·数据处理 | 第24-25页 |
| ·V0_2 薄膜的相变特性 | 第25-27页 |
| ·V0_2 晶体的半导体-金属相变 | 第25-27页 |
| ·V0_2 相变后的电学与光学特性 | 第27页 |
| ·表面等离激元极化波 | 第27-35页 |
| ·表面等离基元极化波的数学表述 | 第27-31页 |
| ·SPP 的色散 | 第31-32页 |
| ·SPP 的激发 | 第32-35页 |
| ·本章小结 | 第35-36页 |
| 第三章 基于VO_x薄膜相变特性的太赫兹波振幅调制 | 第36-56页 |
| ·VO_x薄膜样品制备 | 第36-37页 |
| ·VO_x薄膜半导体-金属相变的THz-TDS 检测 | 第37-44页 |
| ·VO_x薄膜的热致相变的THz-TDS 检测 | 第37-41页 |
| ·VO_x薄膜的光致相变的THz-TDS 检测 | 第41-44页 |
| ·光致VO_x薄膜相变对太赫兹脉冲的调制特性 | 第44-52页 |
| ·用53211m 的CW 激光对太赫兹波调制 | 第45-47页 |
| ·用97611m 的CW 激光调制太赫兹波 | 第47-50页 |
| ·用中心波长为104011m 的飞秒激光脉冲对太赫兹波调制 | 第50-52页 |
| ·光致相变硅基VO_x 薄膜的金属性分析 | 第52-54页 |
| ·本章小结 | 第54-56页 |
| 第四章 基于复合SPP 结构的太赫兹波频率选择 | 第56-68页 |
| ·金属孔阵列中的SP 与金属颗粒阵列中的DLSP | 第56-57页 |
| ·复合型SPP 的频率响应的唯象分子模型 | 第57-59页 |
| ·复合型SPP 结构的实验分析 | 第59-67页 |
| ·样品的制备 | 第59-61页 |
| ·实验结果与分析 | 第61-64页 |
| ·SP 和DLSP 的耦合作用 | 第64-67页 |
| ·本章小结 | 第67-68页 |
| 第五章 基于VO_x薄膜和SPP 结构的太赫兹波滤波-调制双重操控 | 第68-78页 |
| ·设计方案与原理 | 第68-69页 |
| ·样品制备 | 第69-71页 |
| ·实验结果与分析 | 第71-74页 |
| ·其他几种设计的模拟结果 | 第74-76页 |
| ·本章小结 | 第76-78页 |
| 第六章 基于硅基VO_x薄膜的太赫兹光控斩波器 | 第78-88页 |
| ·THz-TDS 中太赫兹脉冲的锁相放大测量原理 | 第78-80页 |
| ·基于硅基VO_x薄膜的光控斩波器 | 第80-87页 |
| ·实验装置 | 第80-81页 |
| ·实验结果 | 第81-84页 |
| ·结果分析 | 第84-87页 |
| ·本章小结 | 第87-88页 |
| 第七章 总结与展望 | 第88-91页 |
| ·总结 | 第88-89页 |
| ·展望 | 第89-91页 |
| 参考文献 | 第91-102页 |
| 发表论文和科研情况说明 | 第102-105页 |
| 致谢 | 第105-106页 |
