| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第1章 引言 | 第10-20页 |
| ·锆铪氧（Zr_(0.5)Hf_(0.5)O_2）薄膜概述 | 第10-11页 |
| ·二氧化锆和二氧化铪 | 第10页 |
| ·锆铪氧（Zr_(0.5)Hf_(0.5)O_2）薄膜的研究进展 | 第10-11页 |
| ·基于过渡金属氧化物的阻变存储器研究背景 | 第11-14页 |
| ·新型存储器研究背景 | 第11-12页 |
| ·新型存储器概述 | 第12-14页 |
| ·基于过渡金属氧化物的阻变存储器与阻变机制 | 第14-19页 |
| ·基于过渡金属氧化物的阻变存储器 | 第14-15页 |
| ·基于过渡金属氧化物的阻变存储器的阻变机制 | 第15-19页 |
| ·论文的研究内容及意义 | 第19-20页 |
| 第2章 锆铪氧薄膜的电输运特性及机制 | 第20-32页 |
| ·实验方法和过程 | 第20-22页 |
| ·薄膜制备的方法 | 第20-21页 |
| ·实验过程 | 第21-22页 |
| ·结果与讨论 | 第22-31页 |
| ·锆铪氧薄膜的结构 | 第22页 |
| ·锆铪氧薄膜的电输运特性 | 第22-23页 |
| ·锆铪氧薄膜的电输运机制 | 第23-31页 |
| ·结论 | 第31-32页 |
| 第3章 非晶铟镓锌氧薄膜的制备及性能表征 | 第32-42页 |
| ·真空退火温度对 In-Ga-Zn-O 薄膜的影响 | 第32-37页 |
| ·实验过程 | 第32-33页 |
| ·真空退火温度对 In-Ga-Zn-O 薄膜结构的影响 | 第33页 |
| ·真空退火温度对 In-Ga-Zn-O 薄膜电学性能的影响 | 第33-35页 |
| ·真空退火温度对 In-Ga-Zn-O 薄膜光学性能的影响 | 第35-37页 |
| ·沉积功率对 In-Ga-Zn-O 薄膜的影响 | 第37-41页 |
| ·实验过程 | 第37页 |
| ·沉积功率对 In-Ga-Zn-O 薄膜结构的影响 | 第37-39页 |
| ·沉积功率对 In-Ga-Zn-O 薄膜电学性能的影响 | 第39页 |
| ·沉积功率对 In-Ga-Zn-O 薄膜光学性能的影响 | 第39-41页 |
| ·结论 | 第41-42页 |
| 第4章 α-IGZO/Zr0.5Hf0.5O2/α-IGZO 结构透明阻变存储器 | 第42-53页 |
| ·实验过程 | 第42-43页 |
| ·结果与讨论 | 第43-52页 |
| ·α-IGZO/ZHO/α-IGZO 结构电容器的透光性和薄膜结构 | 第43-44页 |
| ·α-IGZO/ZHO/α-IGZO 结构电容器的阻变性能 | 第44-46页 |
| ·α-IGZO/ZHO/α-IGZO 结构阻变存储器的阻变机制 | 第46-52页 |
| ·结论 | 第52-53页 |
| 结论 | 第53-55页 |
| 参考文献 | 第55-61页 |
| 致谢 | 第61-62页 |
| 攻读硕士期间发表的学术论文 | 第62页 |
