高速近场通信天线场分布特性的FDTD分析
| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-16页 |
| 提要 | 第8页 |
| ·研究背景及意义 | 第8-10页 |
| ·国内外研究现状 | 第10-14页 |
| ·本文研究的主要问题及解决途径 | 第14-16页 |
| 第二章 FDTD 基本理论 | 第16-26页 |
| 提要 | 第16页 |
| ·Maxwell 方程及其函数迭代式 | 第16-21页 |
| ·麦克斯韦方程、Yee 元胞 | 第16-18页 |
| ·直角坐标系下迭代式的推导 | 第18-21页 |
| ·FDTD 方法的稳定性和收敛性 | 第21-23页 |
| ·FDTD 吸收边界条件 | 第23-26页 |
| 第三章 理想偶极子的场分布特性分析 | 第26-42页 |
| 提要 | 第26页 |
| ·理想偶极子的近场分布特性 | 第26-29页 |
| ·理想偶极子近场范围感应场的分布 | 第29-34页 |
| ·感应场和准静场的比较 | 第29-30页 |
| ·感应场的分布 | 第30-34页 |
| ·沿 r ,θ 方向场强的变化 | 第34-38页 |
| ·垂直于偶极子取向平面上的总场分布 | 第38-42页 |
| 第四章 近场通信天线场分布仿真 | 第42-56页 |
| 提要 | 第42页 |
| ·耦合器电磁计算模型的建立 | 第42-43页 |
| ·激励源选取及时频变换 | 第43-46页 |
| ·耦合器场分布的特性分析 | 第46-56页 |
| ·单个耦合器情形 | 第46-50页 |
| ·两个耦合器情形 | 第50-52页 |
| ·耦合器外形改变对场分布的影响 | 第52-56页 |
| 结束语 | 第56-58页 |
| 致谢 | 第58-60页 |
| 参考文献 | 第60-64页 |
| 作者在读期间的研究成果 | 第64-65页 |