| 摘要 | 第1-8页 |
| ABSTRACT | 第8-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-25页 |
| ·量子点研究现状及其应用 | 第12-15页 |
| ·量子点实验生长及理论计算 | 第12-14页 |
| ·量子点的应用 | 第14-15页 |
| ·量子点分子 | 第15-21页 |
| ·耦合量子体系 | 第16-18页 |
| ·应变效应 | 第18-20页 |
| ·量子点分子中的激子 | 第20-21页 |
| ·论文内容安排 | 第21页 |
| 参考文献 | 第21-25页 |
| 第二章 应变对InAs/GaAs耦合量子点激子束缚能的影响 | 第25-43页 |
| ·引言 | 第25-26页 |
| ·计算模型和方法 | 第26-27页 |
| ·分析和讨论 | 第27-35页 |
| ·对称量子点分子 | 第27-31页 |
| ·不对称量子点分子 | 第31-35页 |
| ·InAs/InP耦合量子点激子束缚能 | 第35-40页 |
| ·小结 | 第40-41页 |
| 参考文献 | 第41-43页 |
| 第三章 电场调控下InAs/GaAs耦合量子点激子态特性 | 第43-51页 |
| ·引言 | 第43-45页 |
| ·计算和讨论 | 第45-49页 |
| ·电场调控下应变效应的影响 | 第45-47页 |
| ·电场调控下量子点结构参数的影响 | 第47-49页 |
| ·小结 | 第49-50页 |
| 参考文献 | 第50-51页 |
| 第四章 极化效应对纤锌矿GaN基半导体量子点的影响 | 第51-64页 |
| ·引言 | 第51-52页 |
| ·GaN/AlN量子阱 | 第52-56页 |
| ·GaN基量子点 | 第56-61页 |
| A. GaN/AlGaN单量子点 | 第56-59页 |
| B. InGaN/GaN单量子点 | 第59-61页 |
| ·小结 | 第61页 |
| 参考文献 | 第61-64页 |
| 第五章 总结和展望 | 第64-66页 |
| 附录 发表论文和科研情况 | 第66-67页 |
| 致谢 | 第67页 |
