| 摘要 | 第1-10页 |
| ABSTRACT | 第10-13页 |
| 第一章 绪论 | 第13-27页 |
| 第一节 自旋电子学 | 第13-14页 |
| 第二节 巨磁电阻与隧穿磁电阻 | 第14-20页 |
| ·巨磁电阻效应 | 第14-16页 |
| ·自旋阀效应 | 第16-18页 |
| ·隧穿磁电阻效应 | 第18-20页 |
| 第三节 磁性半导体 | 第20-24页 |
| ·磁性半导体 | 第20-22页 |
| ·浓磁半导体 | 第22-23页 |
| ·ZnO基磁性半导体 | 第23-24页 |
| 第四节 本文的研究动机和研究内容 | 第24-27页 |
| 第二章 样品的制备和表征方法 | 第27-41页 |
| 第一节 磁控溅射沉积技术 | 第27-34页 |
| ·直流二级溅射 | 第28-29页 |
| ·射频溅射 | 第29-30页 |
| ·磁控溅射 | 第30-32页 |
| ·实验用磁控共溅溅射设备 | 第32-34页 |
| 第二节 交流梯度磁强计(AGM) | 第34-35页 |
| 第三节 超导量子干涉仪(SQUID) | 第35-37页 |
| 第四节 范德堡-霍尔效应测量 | 第37-41页 |
| 第三章 用隧穿磁电阻(TMR)的方法研究Zn_(1-x)Co_xO薄膜中的自旋极化 | 第41-49页 |
| 第一节 引言 | 第41页 |
| 第二节 样品的制备 | 第41-43页 |
| ·衬底处理 | 第41-42页 |
| ·Zn_(1-x)Co_xO浓磁半导体薄膜的制备 | 第42页 |
| ·Co/ZnO/Zn_(0.32)Co_(0.68)O_(1-v)磁性隧道结的制备 | 第42-43页 |
| 第三节 实验结果及讨论 | 第43-49页 |
| 第四章 用反常霍尔效应以及自旋相关变程跃迁方法表征Zn_(1-x)Co_xO薄膜中的自旋极化 | 第49-57页 |
| 第一节 引言 | 第49页 |
| 第二节 反常霍尔效应 | 第49-51页 |
| 第三节 自旋依赖变程跃迁 | 第51-57页 |
| 第五章 总结与展望 | 第57-59页 |
| 致谢 | 第59-61页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第61-62页 |
| 参加的学术会议 | 第62-63页 |
| 参考文献 | 第63-68页 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 | 第68页 |
