| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 第1章 硅基薄膜材料概述 | 第9-16页 |
| ·硅基纳米材料的研究意义 | 第9-10页 |
| ·硅基复合薄膜研究进展 | 第10-12页 |
| ·硅基薄膜材料的光致发光原理 | 第12-13页 |
| ·论文研究内容和主要创新点 | 第13-15页 |
| ·本章小结 | 第15-16页 |
| 第2章 薄膜材料的制备和表征 | 第16-27页 |
| ·射频磁控溅射的反应原理 | 第16-17页 |
| ·薄膜制备的实验装置及工艺流程 | 第17-19页 |
| ·薄膜的制备参数 | 第19-21页 |
| ·薄膜样品的表征 | 第21-26页 |
| ·X射线衍射（XRD）测试 | 第21-22页 |
| ·样品的傅立叶红外吸收光谱（FTIR）测定 | 第22-24页 |
| ·X射线光电子能谱(XPS)测试 | 第24-26页 |
| ·本章小结 | 第26-27页 |
| 第3章 Ge-SiO_2和Ge/Al-SiO_2薄膜的光吸收和光致发光特性 | 第27-37页 |
| ·半导体材料的光吸收特性 | 第27-29页 |
| ·Ge-SiO_2和Ge/Al-SiO_2薄膜的紫外-可见光吸收谱的测量 | 第29-31页 |
| ·Ge-SiO_2和Ge/Al-SiO_2薄膜的光致发光 | 第31-35页 |
| ·本章小结 | 第35-37页 |
| 第4章 Ge/Al-SiO_2 薄膜的三阶非线性特性 | 第37-48页 |
| ·单光束Z－扫描的基本理论 | 第37-43页 |
| ·Z－扫描的描述 | 第37-39页 |
| ·Z扫描理论计算 | 第39-43页 |
| ·Ge/Al-SiO_2 薄膜的Z-扫描测试与结果分析 | 第43-46页 |
| ·薄膜材料的光吸收表征 | 第43页 |
| ·薄膜样品的Z扫描实验结果 | 第43-46页 |
| ·本章小结 | 第46-48页 |
| 第5章 薄膜的调Q与锁模 | 第48-55页 |
| ·半导体材料被动调Q及锁模原理 | 第48页 |
| ·Ge/Al- SiO_2 薄膜实现 1064nm激光的被动调Q | 第48-52页 |
| ·实验装置 | 第48-50页 |
| ·实验结果及分析 | 第50-52页 |
| ·Ge/Al- SiO_2薄膜实现 1064nm激光的被动锁模 | 第52-54页 |
| ·本章小结 | 第54-55页 |
| 第6章 总结 | 第55-57页 |
| 参考文献 | 第57-61页 |
| 致谢 | 第61-62页 |
| 个人简历、在学期间发表的学术论文及研究成果 | 第62页 |
