| 摘要 | 第1-13页 |
| Abstract | 第13-17页 |
| 第一章 绪论 | 第17-45页 |
| 第一节 引言(自旋电子学简介) | 第17-21页 |
| 第二节 磁性半导体 | 第21-29页 |
| ·磁性半导体的研究历史 | 第21-27页 |
| ·磁性半导体的基本特征 | 第27-28页 |
| ·磁性半导体潜在的应用 | 第28-29页 |
| 第三节 无序浓磁半导体 | 第29-37页 |
| 第四节 氧化铟(In_2O_3)的材料特性 | 第37-39页 |
| 第五节 软X射线光谱学 | 第39-40页 |
| 第六节 本论文的研究内容 | 第40-42页 |
| 参考文献 | 第42-45页 |
| 第二章 样品的制备技术与测试分析方法 | 第45-75页 |
| 第一节 磁控溅射沉积技术 | 第45-52页 |
| ·溅射镀膜的物理原理及基本过程 | 第45-47页 |
| ·磁控溅射的物理原理 | 第47-48页 |
| ·磁控溅射镀膜的优缺点 | 第48-50页 |
| ·本论文使用的磁控溅射仪简介 | 第50-52页 |
| 第二节 薄膜结构、磁性及输运的测量分析方法 | 第52-60页 |
| ·X射线衍射(XRD) | 第52-53页 |
| ·透射电子显微镜(TEM) | 第53-55页 |
| ·交变梯度磁强计(AGM) | 第55-56页 |
| ·超导量子干涉仪(SQUID) | 第56-58页 |
| ·范德堡四端法测电阻 | 第58-60页 |
| 第三节 同步辐射光源及各种软X射线光谱学技术 | 第60-72页 |
| ·同步辐射光源简介 | 第60-62页 |
| ·同步辐射光源的发展历史 | 第62-63页 |
| ·同步辐射光源的特点与优势 | 第63-64页 |
| ·美国先进光源实验室(ALS)简介 | 第64-66页 |
| ·软X射线光谱学简介 | 第66-72页 |
| 参考文献 | 第72-75页 |
| 第三章 室温非晶浓磁半导体 | 第75-92页 |
| 第一节 引言 | 第75页 |
| 第二节 室温非晶浓磁半导体的实验研究 | 第75-88页 |
| ·样品的制备 | 第75-76页 |
| ·样品的结构表征、磁性及电输运性质 | 第76-81页 |
| ·样品的电子结构及磁性起源 | 第81-82页 |
| ·金属绝缘体转变区域金属边样品的磁性及电输运性质 | 第82-88页 |
| 第三节 小结 | 第88-90页 |
| 参考文献 | 第90-92页 |
| 第四章 变程跃迁区的反常霍尔效应：特殊的标度关系与随温度变号的现象 | 第92-114页 |
| 第一节 引言 | 第92-99页 |
| ·正常霍尔效应与反常霍尔效应 | 第92-94页 |
| ·铁磁金属的反常霍尔效应机理与标度关系 | 第94-95页 |
| ·固体中电输运机理的分类 | 第95-96页 |
| ·变程跃迁机理 | 第96-97页 |
| ·变程跃迁区的反常霍尔效应研究 | 第97-99页 |
| ·我们的研究工作 | 第99页 |
| 第二节 变程跃迁区的反常霍尔效应的实验研究 | 第99-110页 |
| 第三节 小结 | 第110-112页 |
| 参考文献 | 第112-114页 |
| 第五章 金刚烃同分异构体：[121]与[123]tetramantane中芯激子与辐射损伤效应的研究 | 第114-135页 |
| 第一节 引言 | 第114-120页 |
| ·激子的物理机理及其应用 | 第114-116页 |
| ·金刚烃的发现及合成史 | 第116-118页 |
| ·金刚烃、体金刚石与芯激子 | 第118-119页 |
| ·金刚烃与辐射损伤 | 第119-120页 |
| 第二节 金刚烃Tetramantane中芯激子与辐射损伤效应的研究 | 第120-131页 |
| 第三节 小结 | 第131-133页 |
| 参考文献 | 第133-135页 |
| 第六章 总结与展望 | 第135-137页 |
| 第一节 本论文的主要内容和结果 | 第135-136页 |
| 第二节 本论文的特色与创新 | 第136页 |
| 第三节 下一步的工作展望 | 第136-137页 |
| 致谢 | 第137-139页 |
| 在学期间发表的论文 | 第139-140页 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 | 第140页 |
